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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种低交叉极化宽波束双极化天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119009460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411270191.3，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权一种低交叉极化宽波束双极化天线是由李家林;马兆祺设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低交叉极化宽波束双极化天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低交叉极化宽波束双极化天线，属于微波天线技术领域。本发明所述天线采用双极化设计，能够同时在两个极化方向上具有优异的辐射性能；通过合理设计的辐射结构和馈电网络，天线单元实现了极低的交叉极化，使得在面向阵列的应用中，即使在低仰角下，依然具有稳定的波束和天线方向性。本发明采用PCB工艺制造，降低了制造成本，并且适合大规模生产和集成；通过天线的结构优化设计，使其具有优良的交叉极化性能，使其在双极化状态下仍能保持低于‑25dB交叉极化水平；具有较宽半波束宽度，使得在面向阵列应用中，即使在低仰角下依然具有稳定的波束和天线方向性。本发明可适用于雷达，无线通信等领域，具有广阔的应用前景。

本发明授权一种低交叉极化宽波束双极化天线在权利要求书中公布了：1.一种低交叉极化宽波束双极化天线，其特征在于，包括金属贴片1、金属柱2、馈电探针3、上层介质基板4、半固化片5、下层介质基板6和金属地板；上层介质基板4、半固化片5和下层介质基板6由上至下依次紧密贴合；金属地板位于下层介质基板6的下表面； 四个金属贴片1呈方形，位于上层介质基板4的上表面，关于上层介质基板4的上表面中心位置对称排布，每个金属贴片1的边与上层基板4的边平行；对各金属贴片1与上层介质基板4的上表面中心位置距离最近的角进行扇形切角； 金属柱2包括八个磁偶极子金属柱、两个馈电同轴探针和若干个外围金属通孔，金属柱2贯穿上层介质基板4、半固化片5和下层介质基板6，由上层介质基板4的上表面抵达至下层介质基板6的下表面；八个磁偶极子金属柱均匀对称分布于四个金属贴片1的切角内侧位置；两个馈电同轴探针位于相邻两个金属贴片1的切角处；若干个外围金属通孔均匀分布于四个金属贴片1与上层介质基板4边缘之间的空隙处； 馈电探针3包括Y型探针和V型探针，位于上层介质基板4的上表面；Y型探针中两个枝节之间呈90°夹角，分别与任一金属贴片1的边平行且留有间距，第三个枝节末端与该金属贴片1对角位置处的馈电同轴探针电连接；V型探针的两个枝节之间呈90°夹角，与另一馈电同轴探针对角位置处的金属贴片1的边平行且留有间距，V型探针两个枝节的连接处通过金属化通孔在上层介质基板4的下表面与另一馈电同轴探针连接。

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