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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利射频前端模组及射频芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119030565B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411508408.X，技术领域涉及：H04B1/44；该发明授权射频前端模组及射频芯片是由邵一祥;于泽天;郭嘉帅设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频前端模组及射频芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及无线通讯技术领域，提供一种射频前端模组及射频芯片，该射频前端模组包括：基板、设置于基板上的第一芯片、第二芯片以及第三芯片；第一芯片上设有功率放大电路，用于对发送的射频信号进行放大处理；第二芯片上设有第一电压转换电路，用于对供电电源转换成预设电压后输出给第一芯片提供电源；第三芯片上设有控制模块，用于对功率放大电路输出的放大信号进行处理并输出相应的控制信号实现开关切换；控制模块的输出端用于控制切换不同的射频信号至信号接收端；第一电压转换电路的输入端用于连接供电电源，第一电压转换电路用于将供电电源转换成工作电压输出至功率放大电路。本发明射频前端模组能够提高发送和接收信号的切换效果及可靠性。

本发明授权射频前端模组及射频芯片在权利要求书中公布了：1.一种射频前端模组，其特征在于，该射频前端模组包括：基板、设置于所述基板上的第一芯片、第二芯片以及第三芯片；所述第一芯片上设有功率放大电路，用于对发送的射频信号进行放大处理； 所述第二芯片上设有第一电压转换电路，用于对供电电源转换成预设电压后输出给所述第一芯片提供电源； 所述第三芯片上设有控制模块，用于对所述功率放大电路输出的放大信号进行处理并输出相应的控制信号实现开关切换； 所述功率放大电路的第一输入端用于连接至信号发送端，所述功率放大电路用于将输入的射频信号进行放大；所述功率放大电路的输出端连接所述控制模块的第一输入端； 所述控制模块的输出端用于控制切换不同的射频信号至信号接收端； 所述第一电压转换电路的输入端用于连接所述供电电源，所述第一电压转换电路的输出端连接所述功率放大电路的第二输入端，所述第一电压转换电路用于将所述供电电源转换成工作电压输出至所述功率放大电路；所述控制模块的第二输入端连接所述供电电源，用于为所述控制模块提供电源，所述控制模块的控制端连接至天线端； 所述控制模块包括切换电路、第二电压转换电路和开关控制电路； 所述开关控制电路的输入端用于连接至外部逻辑控制电路，所述开关控制电路的输出端用于将所述外部逻辑控制电路的控制信号输出至所述切换电路，实现所述切换电路的切换功能；所述切换电路的第一输入端作为所述控制模块的第一输入端，所述第二电压转换电路的输入端作为所述控制模块的第二输入端，所述第二电压转换电路的输出端连接所述切换电路的第二输入端；所述切换电路的输出端作为所述控制模块的输出端，所述切换电路的控制端连接至所述天线端； 所述切换电路包括第一射频开关和接收电路； 所述开关控制电路的输出端用于控制所述第一射频开关工作；所述第一射频开关的控制端作为所述切换电路的控制端，所述第一射频开关的第一输出端作为所述切换电路的第一输入端，所述第一射频开关的第二输出端连接所述接收电路的输入端，所述接收电路的输入端还作为所述切换电路的第二输入端，所述接收电路的输出端作为所述切换电路的输出端； 所述接收电路包括第一低噪声放大器和第二射频开关； 所述第一低噪声放大器的输入端与所述第二射频开关的控制端连接并作为所述接收电路的输入端，所述第一低噪声放大器的输出端与所述第二射频开关的输出端连接并作为所述接收电路的输出端； 或者，所述切换电路包括第三射频开关和第二低噪声放大器； 所述开关控制电路的输出端用于控制所述第三射频开关工作；所述第三射频开关的控制端作为所述切换电路的控制端，所述第三射频开关的第一输出端作为所述切换电路的第一输入端，所述第三射频开关的第二输出端连接所述第二低噪声放大器的输入端，所述第二低噪声放大器的输入端还作为所述切换电路的第二输入端并连接至所述第二电压转换电路的输出端；所述第三射频开关的第三输出端与所述第二低噪声放大器的输出端连接并作为所述切换电路的输出端； 所述功率放大电路包括第一匹配电路、第二匹配电路、发送偏置电路以及功率放大器； 所述第一匹配电路的输入端作为所述功率放大电路的第一输入端，所述发送偏置电路的输入端作为所述功率放大电路的第二输入端，所述第一匹配电路的输出端和所述发送偏置电路的输出端分别连接至所述功率放大器的输入端，所述功率放大器的输出端连接所述第二匹配电路的输入端，所述第二匹配电路的输出端作为所述功率放大电路的输出端；所述功率放大器的输入端还用于连接供电电压； 所述功率放大器为多级晶体管放大电路组成； 所述第一芯片、所述第二芯片及所述第三芯片通过银浆或焊球焊接的方式固定连接在所述基板； 所述第一芯片采用GaAs工艺制成；所述第二芯片采用CMOS工艺制成；所述第三芯片采用PHEMT或SOI工艺制成。

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