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龙图腾网获悉西南交通大学申请的专利一种具有高K栅介质和阻塞结的碳化硅超结UMOS获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411264684.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有高K栅介质和阻塞结的碳化硅超结UMOS是由冯全源;陈明洋;金秋延;曹荣设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高K栅介质和阻塞结的碳化硅超结UMOS在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高K介质层和阻塞结的碳化硅超结UMOS，属于半导体技术领域，包括：漏极、N型衬底层、第一N型辅助区、P型辅助区、第二N型辅助区、N柱区、第一P柱区、第二P柱区、N型引流层、P型基区、P型源区、N型源区、高K栅绝缘介质层、热缓冲层、多晶硅栅极、源极以及P型屏蔽层。本发明利用高K栅绝缘介质层对UMOS内部电场进行调制，增大器件的反向击穿电压、降低导通电阻，提高器件的静态特性；利用P型辅助区和第二N型辅助区形成具有阻塞结性质和N型变掺杂特点的辅助层，增强软反向恢复特性和高击穿电压能力；利用N型引流层和P型基区形成次型阻塞结，增强反向恢复，改善N柱中的电流分布，降低特征导通电阻。

本发明授权一种具有高K栅介质和阻塞结的碳化硅超结UMOS在权利要求书中公布了：1.一种具有高K介质层和阻塞结的碳化硅超结UMOS，其特征在于，包括：漏极1、N型衬底层2、第一N型辅助区3、P型辅助区4、第二N型辅助区5、N柱区6、第一P柱区7、第二P柱区8、N型引流层9、P型基区10、P型源区11、N型源区12、高K栅绝缘介质层13、热缓冲层14、多晶硅栅极15、源极16以及P型屏蔽层17； 所述N型衬底层2位于漏极1的上方，所述第一N型辅助区3位于N型衬底层2的上方，所述P型辅助区4位于第一N型辅助区3的上方，所述第二N型辅助区5位于P型辅助区4的上方，所述N柱区6位于第二N型辅助区5的上方中间，所述第一P柱区7位于第二N型辅助区5的上方且位于N柱区6的两侧，所述第二P柱区8位于第一P柱区7的上方，所述N型引流层9位于第二P柱区8的上方，所述P型基区10位于N型引流层9的上方，所述P型源区11和N型源区12相邻，并均位于P型基区10上方，所述P型屏蔽层17位于N柱区6的上方沟槽内，所述热缓冲层14位于P型屏蔽层17上方，并与N型引流层9、P型基区10以及N型源区12接触，所述高K栅绝缘介质层13位于热缓冲层14的上方，所述多晶硅栅极15嵌入在高K栅绝缘介质层13的内部，所述源极16位于P型源区11、N型源区12、高K栅绝缘介质层13以及热缓冲层14的上方，并直接接触； 所述漏极1、N型衬底层2、第一N型辅助区3、P型辅助区4、第二N型辅助区5、N柱区6、P型基区10、N型源区12以及源极16组成电子流动区域。

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