买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种高集成度半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411341544.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种高集成度半导体封装结构及其制造方法是由苏鹏;徐成;孙鹏设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高集成度半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高集成度半导体封装结构及其制造方法。该结构包括：基板；高性能供电散热模块以及深沟槽电容器模块，所述高性能供电散热模块包含微流道；塑封层；重布线层；芯片模块，所述芯片模块包括第一芯片模块、第二芯片模块以及第三芯片模块；底部填充胶；微流道入口以及微流道出口，与所述微流道互连；焊球。本发明提供的高集成度半导体封装结构，在基板空腔中集成含微流道的高性能供电散热模块，芯片模块通过凸块、重布线层和微流道进行快速散热，显著提高散热能力；栅极驱动层和功率晶体管层通过硅通孔垂直互连，并与基板互连，显著提高电源供给效率。

本发明授权一种高集成度半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高集成度半导体封装结构，其特征在于，包括： 基板，所述基板包括基板底部、基板中部以及基板顶部，所述基板中布置多个空腔，所述多个空腔的侧面为所述基板中部以及所述基板顶部，所述多个空腔的下表面为所述基板中部； 高性能供电散热模块以及深沟槽电容器模块，布置在所述多个空腔中； 塑封层，所述塑封层塑封并包覆所述基板、所述高性能供电散热模块以及所述深沟槽电容器模块； 重布线层，所述重布线层布置在所述基板、所述高性能供电散热模块以及所述深沟槽电容器模块的上表面，所述重布线层与所述基板、所述高性能供电散热模块以及所述深沟槽电容器模块电连接； 芯片模块，所述芯片模块包括第一芯片模块、第二芯片模块以及第三芯片模块，布置在所述重布线层的上表面，所述芯片模块通过凸块与所述重布线层电连接； 底部填充胶，填充所述芯片模块的底部； 微流道入口以及微流道出口，布置在所述重布线层中，所述微流道入口以及所述微流道出口与所述微流道互连，实现冷却液的流入和流出；以及 焊球，所述焊球布置在所述基板底部的下表面； 其中，所述高性能供电散热模块包括： 功率晶体管层； 键合层，所述键合层布置在所述功率晶体管层的上表面； 栅极驱动层，所述栅极驱动层布置在所述键合层的上表面，所述栅极驱动层通过所述键合层与所述功率晶体管层键合； 第四互连线路层，所述第四互连线路层布置在所述栅极驱动层的上表面； 硅通孔，所述硅通孔贯穿所述高性能供电散热模块； 微流道，所述微流道布置在所述功率晶体管层、所述栅极驱动层以及所述键合层中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，其通讯地址为：214111 江苏省无锡市新吴区景贤路2号华进半导体2期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。