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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种基于JFET对管的差分闭环负反馈放大电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119363048B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411413125.7，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种基于JFET对管的差分闭环负反馈放大电路是由王言章;张坤伯;王世隆;许权;王恒博设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于JFET对管的差分闭环负反馈放大电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于JFET对管的差分闭环负反馈放大电路，低噪声放大器用于微弱电压信号测量，利用分立式JFET场效应管构成低噪声放大器的输入级，在降低噪声干扰的同时，利用JFET场效应管的栅极电流基本为零的特性可以提供极高的输入阻抗，通过低噪声放大器的电流镜对低噪声放大器模块中的一对JFET场效应管提供镜像的电流，本发明的闭环反馈结构可以为JFET对管省下一路输入，使放大电路可以双通道输入，双通道输入结构可以使接入的信号为差分信号，有效地抑制共模干扰，整体闭环负反馈可以高增益稳定性、减小非线性失真、增加输入阻抗、降低输出阻抗、改善放大器的性能，解决在航空电磁领域中对微弱电压信号的精密放大和测量。

本发明授权一种基于JFET对管的差分闭环负反馈放大电路在权利要求书中公布了：1.一种基于JFET对管的差分闭环负反馈放大电路，该放大电路包括低噪声放大器；其特征是：所述低噪声放大器包括第一级放大器、第二级放大器、反馈回路和电流镜； 所述第一级放大器采用分立式JFET对管结构作为放大器模块的输入级， 所述第一级放大器与电流镜连接，所述电流镜与第二级放大器连接，所述第二级放大器通过反馈回路与第一级放大器连接； 所述第一级放大器包括JFET场效应管Q1，JFET场效应管Q2，三极管Q7，三极管Q8以及V-I变换电流源； 所述反馈回路由电阻R3，电阻R4，电阻R10，电阻R11，电阻R12和电阻R13组成； 所述JFET场效应管Q1的漏极与三极管Q7的发射极连接，JFET场效应管Q2的漏极与三极管Q8的发射极连接； 所述三极管Q7的基极、集电极，三极管Q8的基极、集电极均与电流镜连接； JFET场效应管Q1的源极通过电阻R3、JFET场效应管Q2的源极通过电阻R4与V-I变换电流源连接； 所述电流镜与第二级放大器连接，所述第二级放大器通过电阻R10分别与JFET场效应管Q1的源极以及电阻R3连接，通过电阻R11分别与JFET场效应管Q2的源极以及电阻R4连接，所述电阻R10通过电阻R12接地，电阻R11通过电阻R13接地； 所述电流镜用于接入低噪声放大器对其提供稳定电流；所述电流镜包括电阻R1，电阻R2，三极管Q4，三极管Q5和三极管Q6； 所述三极管Q7的集电极与三极管Q4的集电极连接，三极管Q4的发射极与电阻R1连接后与电源VCC连接； 所述三极管Q8的集电极与三极管Q5的集电极连接，三极管Q5的发射极与电阻R2连接后与电源VCC连接； 所述三极管Q7的基极与三极管Q8的基极连接后同时与三极管Q6的集电极连接；所述三极管Q4的基极与三极管Q5的基极连接后同时与三极管Q6的发射极连接，所述三极管Q6的基极与第二级放大器连接。

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