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龙图腾网获悉南京南瑞半导体有限公司;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司申请的专利一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411474945.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法是由朱郑允;高明阳;王谦;马兴;骆健设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，沟道区旁边增设短路耐受增强区域，增加器件的有效沟道长度，提升器件抵御短路电流冲击的能力，增长器件的短路耐受时间；短路耐受增强区域之间设置电流扩散区域平衡其对器件电流导通能力的影响；阱区之间增设电场调制区域，当器件工作于阻断状态时，有效防止短路耐受增强区域受高电场威胁，确保器件的阻断能力；电场调制区域之间增设电流扩散区、上方设置电流调制区域，减少电场调制区域对器件电流的导通能力；该器件结构和制备方法简单，与传统碳化硅MOSFET制备工艺兼容高，可实现批量化生产。

本发明授权一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET器件，包括从下到上依次设置的漏极电极115、漏极欧姆接触层111、第一掺杂类型的重掺杂的衬底101、第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层102、栅介质层108、第一掺杂类型的多晶硅层109、源极欧姆接触层110、钝化层112、源极电极113和栅极电极114；所述的第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层102顶部设有一对第二掺杂类型的阱区103和第二掺杂类型的沟道区106，第二掺杂类型的阱区103内设有第一掺杂类型的源区104和第二掺杂类型的接触区105；其特征在于，在所述的第二掺杂类型的阱区103之间、位于第二掺杂类型的沟道区106的旁边设置用于增加沟道长度提升抵御短路电流冲击的第二掺杂类型的短路耐受增强区域107；所述的第二掺杂类型的短路耐受增强区域107之间设置用于平衡其对器件电流导通能力影响的第一电流扩散区116；所述的第二掺杂类型的短路耐受增强区域107垂直于第二掺杂类型的沟道区106设置多组；所述的第二掺杂类型的短路耐受增强区域107之间设置用于平衡其对器件电流导通能力影响的第一电流扩散区116；所述的第二掺杂类型的短路耐受增强区域107与用于平衡其对器件电流导通能力影响的第一电流扩散区116间隔设置。

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