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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403303B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411088623.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED芯片及其制备方法是由茹浩;秦友林;鲁洋;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括：1提供一衬底，在衬底上生长外延层，随后在外延层的表面沉积电流阻挡层；2在表面涂覆光刻胶，通过黄光工艺将光刻胶图形化，随后依次沉积光反射材料和第一金属材料，并去胶清洗，形成预设形状的光反射层和预设形状的第一金属电极层；3在表面沉积ITO材料，随后通过黄光、刻蚀，形成预设形状的ITO电流扩展层；4在表面涂覆光刻胶，通过黄光工艺将光刻胶图形化，随后沉积第二金属材料，并做去胶处理，形成预设形状的第二金属电极层；5在表面沉积钝化保护层。通过本发明中的制备方法，可以提高LED芯片的发光亮度并解决LED芯片易脱落、制程良率低等问题。

本发明授权一种LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括： 1提供一衬底，在衬底上生长外延层，随后在外延层的表面沉积电流阻挡层； 2在1所得LED晶圆的表面涂覆光刻胶，通过黄光工艺将光刻胶图形化，随后依次沉积光反射材料和第一金属材料，并去胶清洗，形成预设形状的光反射层和预设形状的第一金属电极层； 3在2所得LED晶圆的表面沉积ITO材料，随后通过黄光、刻蚀，形成预设形状的ITO电流扩展层； 4在3所得LED晶圆的表面涂覆光刻胶，通过黄光工艺将光刻胶图形化，随后沉积第二金属材料，并做去胶处理，形成预设形状的第二金属电极层； 5在4所得LED晶圆的表面沉积钝化保护层； 所述第一金属电极层包括P电极的插指部分； 所述第二金属电极层包括N型层表面的金属电极层和P型层表面的金属焊盘层； 所述光反射层包括由下至上周期性层叠的SiO2层和TiO2层，周期数为2~40； 每个周期中，所述SiO2层的厚度为10nm~300nm；所述TiO2层的厚度为10nm~200nm。

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