清华大学尤政获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种磁共振增强超材料的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119407141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411512787.X，技术领域涉及：B22D19/00；该发明授权一种磁共振增强超材料的制造方法是由尤政;赵晓光;李冰白;梁潮;尤睿设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁共振增强超材料的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种磁共振增强超材料的制造方法，通过提供包括多个预制单元结构的预制超材料单元阵列；各预制单元结构包括三维流道结构；采用液体金属填充三维流道结构，得到多个半成品超材料；对各半成品超材料进行加工处理，得到磁共振增强超材料。本申请通过使用预制的三维流道结构并填充液体金属，可以有效提升超材料的电磁性能。采用液体金属填充的方式可以简化超材料的制造流程，相较于传统工艺，减少了多次加工和组装环节，从而提高生产效率以及保证加工精度和一致性，降低制造成本。对半成品超材料进行加工处理，确保了液体金属在三维流道结构中的稳定性和可靠性。封闭处理可以防止液体金属泄漏，保证超材料在长期使用过程中的性能稳定。
本发明授权一种磁共振增强超材料的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁共振增强超材料的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供预制超材料单元阵列；所述预制超材料单元阵列包括多个预制单元结构，各所述预制单元结构包括三维流道结构； 采用液体金属填充各所述三维流道结构，得到多个半成品超材料；所述三维流道结构的圈数范围与磁共振成像的静磁场场强存在对应关系；所述磁共振成像的静磁场场强包括低场、高场和超高场； 分别在低场磁共振、高场磁共振和超高场磁共振的条件下，对所述磁共振增强超材料进行谐振响应测量处理，得到测量结果，以及根据所述测量结果调整三维流道的圈数或结构，以加工出不同磁共振场强下的磁共振增强超材料； 对各所述半成品超材料进行加工处理，得到磁共振增强超材料； 对所述磁共振增强超材料进行射频磁场增强倍数仿真处理，得到仿真结果；所述仿真结果包括射频磁场增强倍数的二维分布图和一维线图。
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