华中科技大学段国韬获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种用于MEMS气体传感器的高性能TiO2@In2O3/Pd敏感薄膜其合成方法与MEMS气体传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119407187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411334356.9，技术领域涉及：B22F9/24；该发明授权一种用于MEMS气体传感器的高性能TiO2@In2O3/Pd敏感薄膜其合成方法与MEMS气体传感器是由段国韬;张彦林;张征;郭世康设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于MEMS气体传感器的高性能TiO2@In2O3/Pd敏感薄膜其合成方法与MEMS气体传感器在说明书摘要公布了：本发明属于敏感材料相关技术领域，其公开了一种用于MEMS气体传感器的高性能TiO2@In2O3Pd敏感薄膜其合成方法与MEMS气体传感器，方法包括：合成介孔TiO2纳米颗粒球；先将铟盐、碱性化合物、表面活性剂和介孔TiO2纳米颗粒球混合均匀后进行水热反应，再对水热反应的产物进行离心、洗涤和干燥后在空气气氛下进行第一次退火处理，得到In2O3包覆的二氧化钛纳米颗粒球TiO2@In2O3：通过溶液法向纳米颗粒球TiO2@In2O3修饰钯纳米颗粒，进行离心、洗涤和干燥后在氢气氛围下进行第二次退火处理，得到In2O3包覆且具有Pd修饰的二氧化钛纳米颗粒球TiO2@In2O3Pd；将纳米颗粒球TiO2@In2O3Pd制成敏感薄膜。通过以上方法制成的敏感薄膜，可以提高对气体检测的敏感性。
本发明授权一种用于MEMS气体传感器的高性能TiO2@In2O3/Pd敏感薄膜其合成方法与MEMS气体传感器在权利要求书中公布了：1.一种用于MEMS气体传感器的高性能TiO2@In2O3Pd敏感薄膜合成方法，其特征在于，包括： 步骤S1：合成介孔TiO2纳米颗粒球； 步骤S2：先将铟盐、碱性化合物、表面活性剂和所述介孔TiO2纳米颗粒球混合均匀后进行水热反应，再对所述水热反应的产物进行离心、洗涤和干燥后在空气气氛下进行第一次退火处理，得到In2O3包覆的二氧化钛纳米颗粒球TiO2@In2O3； 步骤S3：通过溶液法向所述纳米颗粒球TiO2@In2O3修饰钯纳米颗粒，进行离心、洗涤和干燥后在氢气氛围下进行第二次退火处理，得到In2O3包覆且具有Pd修饰的二氧化钛纳米颗粒球TiO2@In2O3Pd； 步骤S4：将所述纳米颗粒球TiO2@In2O3Pd制成所述敏感薄膜。
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