上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司林宏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利电容器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310948090.6，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权电容器件及其制造方法是由林宏;赵文远;陈武佳设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电容器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，其中形成有第一金属线、第二金属线及绝缘层；在绝缘层中形成若干沟槽；依次形成第一电极材料层、第一介质材料层及第二电极材料层覆盖绝缘层及沟槽；执行图形化工艺，以形成覆第一电极、第一介质层及第二电极，并暴露第二电极及部分第一电极的表面；形成第二介质层；在第二介质层及绝缘层中形成若干通孔，并形成第三金属线电性连接第一金属线与第二电极，及形成第四金属线电性连接第二金属线与第一电极。本发明中，电容的两个电极利用衬底中的第一金属线及第二金属线完成向下引出，降低了工艺集成难度，并有利于提高电容的设计的自由度。
本发明授权电容器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有同层排布的第一金属线、第二金属线及覆盖所述第一金属线和所述第二金属线的绝缘层； 在所述第一金属线与所述第二金属线之间的绝缘层中形成若干沟槽； 依次形成第一电极材料层、第一介质材料层及第二电极材料层保形地覆盖所述绝缘层的表面及所述沟槽的内壁； 对所述第二电极材料层、所述第一介质材料层及所述第一电极材料层执行图形化工艺，以形成覆盖所述沟槽及所述沟槽周边的绝缘层的第一电极、第一介质层及第二电极，并暴露所述第二电极及部分所述第一电极的表面； 形成第二介质层覆盖所述绝缘层、所述第一电极、所述第二电极及所述沟槽； 在所述第二介质层及所述绝缘层中形成若干通孔分别暴露所述第一电极、所述第二电极、所述第一金属线及所述第二金属线，并形成第三金属线电性连接所述第一金属线与所述第二电极，及形成第四金属线电性连接所述第二金属线与所述第一电极。
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