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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利平面栅功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411488795.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权平面栅功率器件及其制造方法是由曾大杰设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本平面栅功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面栅功率器件，器件单元包括：漂移区、平面栅、沟道区、源区和抗JFET区。抗JFET区至少分成抗JFET顶层区和抗JFET底层区，抗JFET顶层区位于平面栅两侧的沟道区之间。抗JFET顶层区的掺杂浓度小于抗JFET底层区的掺杂浓度，抗JFET顶层区的较低的掺杂浓度用于减少器件的步进。底部区域的较高掺杂浓度用于降低器件的比导通电阻。第一掺杂层穿过源区和沟道区，第一掺杂层的顶部区域用于和沟道区接触并作为引出沟道区的沟道引出区；第一掺杂层的底部区域用于对抗JFET底层区进行耗尽，从而提高器件的击穿电压。本发明还公开了一种平面栅功率器件的制造方法。本发明能减小器件的步进的同时降低器件的导通电阻以及增加器件的击穿电压。

本发明授权平面栅功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种平面栅功率器件，其特征在于，器件单元包括： 第一导电类型掺杂的半导体外延层； 在所述半导体外延层的顶部表面上形成有平面栅； 在所述平面栅两侧的所述半导体外延层中形成有第二导电类型掺杂的沟道区，所述沟道区还延伸到所述平面栅所覆盖区域的所述半导体外延层中，被所述平面栅所覆盖的所述沟道区的表面用于形成导电沟道； 第一导电类型重掺杂的源区形成在所述平面栅两侧的所述沟道区的表面区域中且所述源区和所述平面栅的侧面自对准； 在所述平面栅的侧面形成有侧墙； 在所述平面栅两侧的所述半导体外延层中还形成有第二导电类型重掺杂的第一掺杂层，所述第一掺杂层和所述侧墙的侧面自对准； 在所述半导体外延层的表面区域中形成有第一导电类型掺杂的抗JFET区，所述抗JFET区底部的所述半导体外延层作为漂移区，所述抗JFET区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度； 所述抗JFET区至少分成抗JFET顶层区和抗JFET底层区，所述抗JFET顶层区位于所述平面栅两侧的所述沟道区之间，所述抗JFET底层区延伸到所述沟道区的底部表面之下； 所述抗JFET顶层区的掺杂浓度小于所述抗JFET底层区的掺杂浓度，所述抗JFET顶层区的较低的掺杂浓度用于减少对所述沟道区的耗尽，以利用提高所述导电沟道的有效长度并从而减少器件的步进； 所述抗JFET底层区的较高掺杂浓度用于提高整个所述抗JFET区的掺杂浓度并从而降低器件的比导通电阻； 所述第一掺杂层穿过所述源区和所述沟道区，所述第一掺杂层的顶部区域用于和所述沟道区接触并作为引出所述沟道区的沟道引出区；所述第一掺杂层的底部区域用于对所述抗JFET底层区进行耗尽，从而提高器件的击穿电压； 所述抗JFET区由离子注入区组成； 所述抗JFET区的离子注入至少包括两次，所述抗JFET区的各次离子注入的注入能量不同且注入能量低的离子注入的注入剂量低于注入能量高的离子注入的注入剂量。

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