买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于第一性原理计算的高压相交变磁性材料设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119479937B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411598713.2，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种基于第一性原理计算的高压相交变磁性材料设计方法是由张正明;范镇宇;汪鸿昌;王敦辉设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于第一性原理计算的高压相交变磁性材料设计方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于第一性原理计算的高压相交变磁性材料设计方法，包括以下步骤：基于候选反铁磁材料的多种相结构，构建相应的晶体模型；针对每一种相结构，设置多种潜在的反铁磁构型；确定每一种相结构下稳定的反铁磁构型；对每一种相进行结构优化，确定候选材料的零压相和高压相，并获得每种相结构稳定存在的压力范围；进行电子特性计算，通过第一性原理计算得到候选材料每种相结构下的电子能带结构，通过观察能带是否存在交错劈裂现象，从而可以判断候选材料的高压相是否具有交变磁性。本发明采用一种经济且精确的方法来分析材料高压相是否具有交变磁性，既降低了计算费用，又避免了繁琐且耗时的实验程序，从而加快了交变磁性材料的发现。

本发明授权一种基于第一性原理计算的高压相交变磁性材料设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于第一性原理计算的高压相交变磁性材料设计方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：基于候选反铁磁材料的多种相结构，构建相应的晶体模型； 步骤2：针对每一种相结构，设置多种潜在的反铁磁构型； 步骤3：通过对比每种潜在反铁磁构型的吉布斯自由能，从而确定各个相结构下稳定的反铁磁构型； 步骤4：对每种相进行结构优化，根据吉布斯自由能确定候选材料的零压相和高压相结构，并获得每种相结构稳定存在的压力范围； 步骤5：电子特性计算，通过第一性原理计算得到候选材料每种相结构下的电子能带结构；通过观察能带是否存在交错劈裂现象，从而判断候选材料的高压相是否具有交变磁性； 所述步骤1中，具体分为以下步骤： 步骤1-1：通过文献调研或基于实验结果，获取候选反铁磁材料的多种相结构； 步骤1-2：使用AMS软件，构建候选材料每种相结构的晶体模型；具体的晶体结构信息包含了原子种类及其数量，所属晶系，空间群信息，各原子间的键长和键角，晶胞夹角，晶胞内原子数，晶胞尺寸，晶胞体积； 所述步骤2中，具体分为以下步骤： 步骤2-1：根据晶体结构设置多种潜在的反铁磁构型； 步骤2-2：根据需求设置磁性原子的自旋排列方向； 所述步骤3中，具体分为以下步骤： 步骤3-1：使用AMS-QE软件对每种相结构下的多种潜在反铁磁构型进行结构优化； 步骤3-2：设置结构优化所需参数，包括高对称波矢点网格的选取、截止能量、原子间的强库伦相关作用Ueff、冻芯、是否固定晶格、收敛能量； 步骤3-3：通过对比各潜在反铁磁构型的吉布斯自由能，从而确定各个相结构下稳定的反铁磁构型； 所述步骤4中，具体分为以下步骤： 步骤4-1：使用AMS-QE软件对处于稳定反铁磁构型下的每种相进行结构优化，优化时施加一定范围且逐步增加的压力； 步骤4-2：设置结构优化所需参数，包括高对称波矢点网格的选取、截止能量、原子间的强库伦相关作用Ueff、冻芯、收敛能量；结构优化时需固定晶格，防止晶格在高压作用下发生形变； 步骤4-3：通过对比每种相结构下吉布斯自由能与压力间的关系，确定候选材料的零压相和高压相结构，并获得每种相结构稳定存在的压力范围； 所述步骤5中，具体分为以下步骤： 步骤5-1：使用AMS-BAND软件，通过第一性原理计算得到候选材料每种相结构下的电子能带结构； 步骤5-2：根据具体需求设置电子特性计算参数，包括计算方法的选择，原子间的强库伦相关作用Ueff，冻芯，收敛能量，是否考虑电子的自旋极化行为，参数化以及基组的选择，是否考虑自旋轨道耦合作用，根据需求再设置其它参数； 步骤5-3：通过观察能带是否存在交错劈裂现象，从而判断候选材料的高压相是否具有交变磁性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市下沙高教园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。