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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于氧化物忆阻器的自适应同质储备池计算系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119514623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411461317.5，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权一种基于氧化物忆阻器的自适应同质储备池计算系统是由杨蕊;李永飞;李志远;唐崴;缪向水设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于氧化物忆阻器的自适应同质储备池计算系统在说明书摘要公布了：本发明属于微纳米电子相关技术领域，其公开了一种基于氧化物忆阻器的自适应同质储备池计算系统，其储池层包含多个具有非线性的短时程衰减记忆特性的易失性的动态忆阻器；其全连接读出层包含多个具有多值长时程记忆特性的非易失忆阻器；其反馈回路用于调节动态忆阻器状态衰减期间所施加的偏置电压，其中，两类忆阻器采用相同的包含氧化钛层的叠层结构。本发明解决了储池层和读出层材料体系不统一以及储池系统时间尺度单一、无法调节的问题，并且本发明提出的方法能自适应地调节储备池时间尺度，使得其能更好地适应于不同类别的输入信号，从而提升储备池计算性能，并完成动态信息识别功能。

本发明授权一种基于氧化物忆阻器的自适应同质储备池计算系统在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化物忆阻器的自适应同质储备池计算系统，其特征在于，包括： 储池层，包含多个具有非线性的短时程衰减记忆特性的易失性的动态忆阻器，用于接收时序信号并提取特征信息；所述动态忆阻器包含顶电极、底电极以及位于中间的第一叠层； 全连接读出层，包含多个具有多值长时程记忆特性的非易失忆阻器，用于接收所述储池层输出的特征信息并输出识别结果，所述非易失忆阻器包含顶电极、底电极以及位于中间的第二叠层； 反馈回路，用于根据所述全连接读出层输出的识别结果反向调节所述储池层中动态忆阻器衰减期间所施加的偏置电压，以使所述动态忆阻器的衰减时间常数与所输入的时序信号的时间尺度相匹配； 所述第一叠层和第二叠层均由第一氧化层与第二氧化层接触堆叠而成，所述第一氧化层为氧化钛层，所述第二氧化层的材料为电子亲和势低于氧化钛且具有非易失阻变性能的材料，且所述第一叠层中氧化钛层的氧空位含量小于产生导电细丝的含量阈值，所述第二叠层中氧化钛层的氧空位含量大于或等于产生导电细丝的含量阈值。

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