北京大学张锦文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种场发射器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411520259.9，技术领域涉及：H01J3/02；该发明授权一种场发射器件及其制备方法是由张锦文;王旸设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种场发射器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种场发射器件及其制备方法，属于真空微纳电子器件领域。本发明制备的场发射器件包括栅‑阳极一体结构和阴极结构；栅‑阳极一体结构包括位于高导电阳极背面的金属电极，位于高导电阳极正面的阳极‑栅极绝缘层，位于阳极‑栅极绝缘层上的图形化栅极层，位于栅极层上的栅极‑阴极绝缘层，以及位于栅极‑阴极绝缘层上的栅极金属引线电极；其中栅极金属引线电极临近栅极工作区域，连接于栅极层；阴极结构包括衬底，位于衬底正面的阴极，以及位于阴极背面的金属电极；阴极结构的阴极一侧固定在栅‑阳极一体结构的栅极工作区域的栅极‑阴极绝缘层上。本发明能够增强器件的性能优化与调控能力，降低制备成本和难度。
本发明授权一种场发射器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种场发射器件，其特征在于，包括栅-阳极一体结构和阴极结构； 栅-阳极一体结构包括位于高导电阳极背面的金属电极，位于高导电阳极正面的阳极-栅极绝缘层，位于阳极-栅极绝缘层上的图形化栅极层，位于栅极层上的栅极-阴极绝缘层，以及位于栅极-阴极绝缘层上的栅极金属引线电极；其中栅极金属引线电极临近栅极工作区域，连接于栅极层； 阴极结构包括衬底，位于衬底正面的阴极，以及位于阴极背面的金属电极； 阴极结构的阴极一侧固定在栅-阳极一体结构的栅极工作区域的栅极-阴极绝缘层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励