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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利场板结构优化方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119558006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411704439.2，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权场板结构优化方法、装置、设备及介质是由赵东艳;陈燕宁;吴波;刘巾溆;程勇鹏;高大为;刘芳;邓永峰;郁文;罗宗兰设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本场板结构优化方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种场板结构优化方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取初始场板结构优化模型；获取调整前的电学性能评价参数；获取多组调整结构参数；获取调整后电学性能评价参数；若调整后电学性能评价参数属于目标参数范围，则将初始的结构参数作为输入，将对应的调整结构参数作为输出，对初始场板结构优化模型进行训练；获取结构参数以及器件参数；若器件参数与初始的器件参数匹配，则将结构参数输入场板结构优化模型以获取目标结构参数；基于目标结构参数进行优化。该方案可以在不依赖人的经验的前提下，针对场板结构进行优化，以确保优化后的半导体器件的性能能够满足要求，提高了优化效率，降低了优化成本。

本发明授权场板结构优化方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种场板结构优化方法，其特征在于，包括： 获取初始场板结构优化模型； 基于初始的器件参数以及初始的结构参数，获取初始的半导体器件的调整前的电学性能评价参数，其中结构参数包括场板结构的多个阶梯中每个阶梯的长度以及所述场板结构的多个阶梯中每个阶梯中位于场板下的氧化物的厚度，器件参数包括漂移区的掺杂浓度以及漂移区的长度中至少一项； 对所述初始的结构参数进行调整，以获取多组调整结构参数； 基于每一组调整结构参数以及所述初始的器件参数，获取与每一组调整结构参数对应的调整后电学性能评价参数； 若任一组调整后电学性能评价参数属于目标电学性能评价参数范围，则将所述初始的结构参数作为输入，将与所述任一组调整后电学性能评价参数对应的调整结构参数作为输出，对所述初始场板结构优化模型进行训练； 响应于训练后的初始场板结构优化模型收敛，将所述训练后的初始场板结构优化模型确定为与所述初始的器件参数对应的场板结构优化模型； 获取待优化半导体器件中包括多个阶梯的场板结构的结构参数以及所述待优化半导体器件的器件参数； 若所述器件参数与所述初始的器件参数匹配，则将所述结构参数作为输入，输入所述场板结构优化模型，以获取所述场板结构优化模型输出的目标结构参数； 基于所述目标结构参数对所述待优化半导体器件中的场板结构进行优化； 所述方法还包括： 若每一组调整后电学性能评价参数均不属于目标电学性能评价参数范围，则基于所述调整后电学性能评价参数与所述目标电学性能评价参数范围，从所述多组调整结构参数中确定至少一组待调整结构参数； 基于所述至少一组待调整结构参数、所述初始的结构参数、所述至少一组待调整结构参数对应的调整后电学性能评价参数以及目标电学性能评价参数范围获取结构参数调整方向； 基于所述结构参数调整方向对所述任一组待调整结构参数进行调整，以获取多组再调整结构参数； 基于每一组再调整结构参数以及所述初始的器件参数，获取与每一组再调整结构参数对应的再调整电学性能评价参数； 若任一组再调整电学性能评价参数属于目标电学性能评价参数范围，则将所述初始的结构参数作为输入，将与所述任一组再调整电学性能评价参数对应的再调整结构参数作为输出，对所述初始场板结构优化模型进行训练； 响应于训练后的初始场板结构优化模型收敛，将所述训练后的初始场板结构优化模型确定为与所述初始的器件参数对应的场板结构优化模型； 所述基于初始的器件参数以及初始的结构参数，获取初始的半导体器件的调整前的电学性能评价参数，包括： 基于所述初始的器件参数以及所述初始的结构参数进行仿真，并根据仿真结果获取所述初始的半导体器件的调整前的电学性能评价参数； 或，基于所述初始的器件参数以及所述初始的结构参数制造对应的半导体器件，并针对制造出的半导体器件进行检测，根据实际检测结果获取所述初始的半导体器件的调整前的电学性能评价参数。

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