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龙图腾网获悉陕西电子芯业时代科技有限公司申请的专利一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411619933.9，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件是由杨小艳;刘建军;李家贵;王逸豪;曹臻设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件，制造流程分为正面工艺、背面工艺、减薄工艺、键合工艺四个阶段，包括以下步骤：采用常规IGBT正面工艺在第一衬底的正面制作正面结构；对第一衬底背面进行减薄工艺；采用常规IGBT背面工艺在第二衬底第一侧制作背面结构，另一侧为第二侧；对第二衬底第二侧进行减薄工艺；将第一衬底的背面和第二衬底的第二侧进行键合连接。该IGBT器件的制造方法与现有的MOS工艺相兼容，正面和背面两个衬底均可采用常规制造工艺，不增加工艺难度和成本；在正面和背面工艺之后对两个衬底进行减薄，可以有效避免常规IGBT超薄片背面处理难度大，易碎片等问题；键合工艺采用等离子体活化工艺，退火温度约200～400℃，避免因高温损伤器件结构。

本发明授权一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供第一衬底，用于形成IGBT器件中的晶体管的功能区； S2、采用IGBT正面工艺在第一衬底内和第一衬底上制作正面结构，形成有正面结构的表面为第一衬底的正面，背离正面的另一面为第一衬底的背面； S3、对第一衬底背面进行减薄工艺，采用研磨的工艺从衬底的背面进行研磨，以对衬底进行减薄处理，根据需要决定研磨的厚度； S4、提供第二衬底，用于形成IGBT器件中的集电极区和场终止区的功能区，第二衬底具有与第一衬底相同的材质； S5、采用IGBT背面工艺在第二衬底内和第二衬底上制作背面结构，形成有背面结构的一侧为第二衬底的第一侧，背离第一侧的另一侧为第二衬底的第二侧； S6、对第二衬底的第二侧进行减薄工艺，采用研磨的工艺从衬底的第二侧进行研磨，以对衬底进行减薄处理，根据需要决定研磨的厚度； S7、对第一衬底的背面进行等离子清洗； S8、对第二衬底的第二侧进行等离子清洗； S9、将第一衬底的背面和第二衬底的第二侧进行键合连接，即将相同材质的衬底键合连接，形成IGBT器件； 所述IGBT正面工艺包括MOSFET的金属工艺；所述IGBT背面工艺包括IGBT背面离子注入、退火工艺及金属工艺； 所述第一衬底和所述第二衬底通过等离子体活化键合工艺进行连接，键合的退火温度为200~400℃。

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