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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种金刚石基下沉式电极光导开关及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411580748.3，技术领域涉及：H10F30/20；该发明授权一种金刚石基下沉式电极光导开关及其制备方法是由谢敏;毛玉鑫;章涵朋;陆小力;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石基下沉式电极光导开关及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种金刚石基下沉式电极光导开关及其制备方法，制备方法包括：在绝缘金刚石衬底表面生长金刚石刻蚀掩膜层；在金刚石刻蚀掩膜层上光刻定义绝缘金刚石衬底的电极刻蚀区域，同时定义对准标记区域；去除电极刻蚀区域和对准标记区域的金刚石刻蚀掩膜层；刻蚀电极刻蚀区域和对准标记区域的绝缘金刚石衬底；对刻蚀后的绝缘金刚石衬底进行有机清洗和RCA清洗；对刻蚀清洗后的绝缘金刚石衬底进行氧等离子体处理形成表面氧终端；使用光刻套刻工艺，通过对准标记对电极溅射区域进行定义；在电极溅射区域内制作下沉至电极凹槽内的欧姆接触电极。该方法降低了金刚石光导开关的制造成本和难度，且改善了器件的耐压特性和导通特性。

本发明授权一种金刚石基下沉式电极光导开关及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石基下沉式电极光导开关的制备方法，其特征在于，包括步骤： 在清洗后的绝缘金刚石衬底表面生长金刚石刻蚀掩膜层； 在所述金刚石刻蚀掩膜层上光刻定义绝缘金刚石衬底的电极刻蚀区域，同时定义对准标记区域； 去除所述电极刻蚀区域和所述对准标记区域的金刚石刻蚀掩膜层，形成金刚石刻蚀掩膜； 通过所述金刚石刻蚀掩膜刻蚀所述电极刻蚀区域和所述对准标记区域的绝缘金刚石衬底，形成电极凹槽和对准标记； 对刻蚀后的绝缘金刚石衬底进行有机清洗和RCA清洗，使得刻蚀后的绝缘金刚石衬底具有电子级清洁表面； 对清洗后的绝缘金刚石衬底进行氧等离子体处理，形成表面氧终端； 使用光刻套刻工艺，通过所述对准标记使得电极溅射区域与所述电极刻蚀区域对准，在绝缘金刚石衬底表面对电极溅射区域进行定义，其中，所述电极溅射区域的中心与所述电极刻蚀区域的中心重合； 在所述电极溅射区域内制作欧姆接触金属，形成下沉至所述电极凹槽内的欧姆接触电极。

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