中国科学院上海硅酸盐研究所曾宇平获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种在二氧化钛陶瓷表面原位生长二氧化钛纳米棒晶体层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119591399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411651442.2，技术领域涉及：C04B35/46；该发明授权一种在二氧化钛陶瓷表面原位生长二氧化钛纳米棒晶体层的方法是由曾宇平;陈雷;夏咏锋;姚冬旭;祝明;赵君设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在二氧化钛陶瓷表面原位生长二氧化钛纳米棒晶体层的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种在二氧化钛陶瓷表面原位生长二氧化钛纳米棒晶体层的方法。所述方法包括以下步骤：1将钛粉涂抹在二氧化钛陶瓷表面，或将钛粉分散在溶剂中形成钛粉分散液，然后涂抹在二氧化钛陶瓷表面，经干燥后，得到表面涂覆有钛粉的二氧化钛陶瓷；2将表面涂覆有钛粉的二氧化钛陶瓷在一定条件下热处理，使所述二氧化钛陶瓷的表面发生晶格畸变；去除所述二氧化钛陶瓷的表面反应后的钛粉层；3通过水热反应在发生晶格畸变的二氧化钛陶瓷表面原位生长二氧化钛纳米棒晶体层。
本发明授权一种在二氧化钛陶瓷表面原位生长二氧化钛纳米棒晶体层的方法在权利要求书中公布了：1.一种在二氧化钛陶瓷表面原位生长二氧化钛纳米棒晶体层的方法，其特征在于，包括：包括以下步骤： 1将钛粉涂抹在二氧化钛陶瓷表面，或将钛粉分散在溶剂中形成钛粉分散液，然后涂抹在二氧化钛陶瓷表面，经干燥后，得到表面涂覆有钛粉的二氧化钛陶瓷； 2将表面涂覆有钛粉的二氧化钛陶瓷在一定条件下热处理，使所述二氧化钛陶瓷的表面发生晶格畸变；去除所述二氧化钛陶瓷的表面反应后的钛粉层；所述热处理的参数包括：热处理的温度为500～1050℃，保温时间为0.5～8h； 3通过水热反应在发生晶格畸变的二氧化钛陶瓷表面原位生长二氧化钛纳米棒晶体层；所述水热反应的温度为120～180℃，时间为4～20h。
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