安徽芯塔电子科技有限公司倪炜江获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽芯塔电子科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶圆级封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601546B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411797685.7，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种碳化硅晶圆级封装结构及其制造方法是由倪炜江;郝志杰设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶圆级封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶圆级封装结构及其制造方法，包括碳化硅芯片、凸块下金属、第一绝缘材料、第二绝缘材料、第三绝缘材料、第一金属凸块、第二金属凸块，所述第二金属凸块与碳化硅芯片下表面的电极金属结构配合，所述第一金属凸块外端设有第三金属凸块，所述第二金属凸块外端设有第四金属凸块，所述碳化硅芯片外侧设有第四绝缘材料，本发明优化了碳化硅器件体积，无连接引线，封装带来的杂散电感低，传输速度快，适用于高频应用，晶圆级作业生产周期短，节省封装费用，芯片与引脚距离短，散热好，且无引线发热，适用于高温工况。
本发明授权一种碳化硅晶圆级封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆级封装结构，包括碳化硅芯片1，其特征是：所述碳化硅芯片1上端设有凸块下金属2，所述凸块下金属2与碳化硅芯片1上表面的电极金属结构配合，所述碳化硅芯片1上方和凸块下金属2两侧均设有第一绝缘材料3，所述第一绝缘材料3上端设有第二绝缘材料4，所述碳化硅芯片1下端设有第三绝缘材料5，所述凸块下金属2上端设有第一金属凸块6，所述碳化硅芯片1下端设有第二金属凸块7，所述第二金属凸块7与碳化硅芯片1下表面的电极金属结构配合，所述第一金属凸块6外端设有第三金属凸块8，所述第二金属凸块7外端设有第四金属凸块9，所述碳化硅芯片1外侧设有第四绝缘材料10，所述碳化硅芯片1、凸块下金属2、第一绝缘材料3、第二绝缘材料4、第三绝缘材料5、第一金属凸块6和第二金属凸块7均位于第四绝缘材料10内，所述第三金属凸块8和第四金属凸块9的外端突出第四绝缘材料10。
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