买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉天津大学申请的专利基于NSGA-II遗传算法的磁共振超材料磁场增强器优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119623021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411653915.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于NSGA-II遗传算法的磁共振超材料磁场增强器优化方法是由肖夏;刘雨;庞彦伟;孔祥铮;陈果权设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于NSGA-II遗传算法的磁共振超材料磁场增强器优化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于NSGA‑II遗传算法的磁共振超材料磁场增强器优化方法，包括：初步构建超材料增强器模型结构；提取超材料增强器等效电路模型；构建射频线圈、超材料增强器和被测模型系统；提取射频线圈和超材料增强器的等效电路模型；计算超材料增强器的等效电阻和等效电感；计算射频线圈电流和超材料增强器感应电流；得到目标区域内的感应磁场的计算公式；初始化超材料增强器结构参数；设置优化目标，第一优化目标是使磁共振成像目标区域内平均磁场强度最大，第二优化目标是使超材料增强器的体积最小；采用非支配排序遗传算法NSGA‑II对超材料增强器结构进行优化，使其磁场增强效果最好；求解出最优的超材料增强器的结构参数。

本发明授权基于NSGA-II遗传算法的磁共振超材料磁场增强器优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于NSGA-II遗传算法的磁共振超材料磁场增强器优化方法，包括下列步骤： 1初步构建超材料增强器模型结构，超材料增强器包括介质基板、螺旋线圈和外接电容，螺旋线圈设置在介质基板上，相邻螺旋线圈存在间隙，螺旋线圈的两端通过外接电容相连，设螺旋线圈圈数为n，相邻导线间隙为gMR，螺旋线圈宽度为wMR，螺旋线圈内边长为aMR-in，螺旋线圈外边长为aMR-out，外接电容为CMR； 2提取超材料增强器等效电路模型； 3构建射频线圈、超材料增强器和被测模型系统； 4提取射频线圈和超材料增强器的等效电路模型； 5根据电路理论计算电路参数，计算超材料增强器的等效电阻和等效电感，方法如下： 其中，为趋肤效应造成的电阻，为介质电阻，螺旋线圈由铜线制成，lMR为铜线路径长度，δ为铜的趋肤深度，wMR为铜线的宽度，σ为铜的电导率，t为铜的厚度，ω0为角频率，εrair、εrd和ε0分别为空气、介质板和真空的介电常数，μ为铜的磁导率，μ0为真空磁导率，aMRavg为螺旋线圈平均边长，aMRavg＝aMR-in+aMR-out2，ρ为填充比，ρ＝aMR-out-aMR-inaMR-in+aMR-out； 6根据等效电路模型和电路理论计算射频线圈电流和超材料增强器感应电流； 7设螺旋线圈为方形螺旋回路，将一个超材料增强器的方形螺旋回路视为多个不同边长的同心方形回路，通过将四个边长的感应磁场叠加，得到单匝方形回路的磁场计算公式，进而得到目标区域内的感应磁场的计算公式； 8初始化超材料增强器结构参数； 9设置优化目标，第一优化目标是使磁共振成像目标区域内平均磁场强度最大，第二优化目标是使超材料增强器的体积最小； 10采用非支配排序遗传算法NSGA-II对超材料增强器结构进行优化，使其磁场增强效果最好； 11求解出最优的超材料增强器的结构参数； 12确定调谐电容，将外接电容CMR设置为调谐电容，将其谐振频率调谐到目标频率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津大学，其通讯地址为：300072 天津市南开区卫津路92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。