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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低成本热增强氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630005B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411593196.X，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种低成本热增强氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法是由张涛;陈嘉豪;苏华科;任泽阳;许晟瑞;张进成设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低成本热增强氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低成本热增强氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法，包括：传输层；漂移层设置于传输层的下表面；阳电极设置于漂移层下表面的中间区域；阴电极设置于传输层上表面的中间区域；第一介质层设置于剩余漂移层的下表面，以及阳电极的侧壁和部分下表面；第二介质层设置于剩余传输层的上表面，以及阴电极的侧壁和部分上表面；阳电极加厚层的一部分设置于第一介质层的下表面，以及剩余阴电极的下表面，且阳电极加厚层的另一部分裸露于第一介质层；散热基板设置于阳电极加厚层的下表面；阴电极加厚层设置于部分第二介质层的上表面，以及剩余阴电极的上表面。本发明实现了拥有更大正向电流和更高散热能力的全垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管。

本发明授权一种低成本热增强氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低成本热增强氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，所述二极管包括传输层3、漂移层4、阳电极5、第一介质层6、阳电极加厚层7、散热基板8、阴电极9、第二介质层10和阴电极加厚层11；其中， 所述漂移层4设置于所述传输层3的下表面； 所述阳电极5设置于所述漂移层4下表面的中间区域； 所述阴电极9设置于所述传输层3上表面的中间区域； 所述第一介质层6设置于剩余所述漂移层4的下表面，以及所述阳电极5的侧壁和部分下表面； 所述第二介质层10设置于剩余所述传输层3的上表面，以及所述阴电极9的侧壁和部分上表面； 所述阳电极加厚层7的一部分设置于所述第一介质层6的下表面，以及剩余所述阴电极9的下表面，且所述阳电极加厚层7的另一部分裸露于所述第一介质层6； 所述散热基板8设置于所述阳电极加厚层7的下表面； 所述阴电极加厚层11设置于部分所述第二介质层10的上表面，以及剩余所述阴电极9的上表面。

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