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龙图腾网获悉江门普乐开瑞太阳能科技有限公司申请的专利一种太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411809786.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池及其制备方法是由张鹏;欧文凯;张东威;胡珊;汤炜乐设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底并于其下表面形成掺杂结构，掺杂结构包括依次层叠的隧穿层、本征层及位于本征层中的导电类型相反的第一、第二掺杂结构及隔离第一、第二掺杂结构的隔离结构；分别于半导体衬底上表面、掺杂结构下表面形成钝化减反材料层；去除位于第一、第二掺杂结构下表面的钝化减反材料层，以形成包括分别位于隔离结构下表面、半导体衬底上表面的第一、第二钝化减反层的钝化减反层；形成至少覆盖第一掺杂结构下表面、第二掺杂结构下表面的第一、第二导电部，且第一、第二导电部靠近隔离结构的一端之间间隔设置。本发明的太阳能电池及其制备方法极大改善了太阳能电池的寄生吸收。

本发明授权一种太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一半导体衬底； 于所述半导体衬底的下表面形成掺杂结构，所述掺杂结构包括依次层叠的隧穿层、本征层以及位于所述本征层中的第一掺杂结构、第二掺杂结构及隔离结构，所述隔离结构隔离所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构，且所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构的导电类型相反； 分别于所述半导体衬底的上表面、所述掺杂结构的下表面形成钝化减反材料层； 去除位于所述第一掺杂结构、所述第二掺杂结构下表面的所述钝化减反材料层，以形成钝化减反层，所述钝化减反层包括位于所述隔离结构下表面的第一钝化减反层及位于所述半导体衬底上表面的第二钝化减反层； 形成至少覆盖所述第一掺杂结构下表面的第一导电部，且形成至少覆盖所述第二掺杂结构下表面的第二导电部，所述第一导电部靠近所述隔离结构的一端与所述第二导电部靠近所述隔离结构的一端之间间隔设置，于所述半导体衬底的上表面、所述掺杂结构的下表面形成所述钝化减反材料层之后，去除位于所述第一掺杂结构、所述第二掺杂结构下表面的所述钝化减反材料层之前，还包括：对所述钝化减反材料层进行退火处理。

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