重庆大学余华获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种薄膜铌酸锂电光调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805796B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510061535.8，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权一种薄膜铌酸锂电光调制器是由余华;刘玉山;陈冠宇;李春德设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜铌酸锂电光调制器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种薄膜铌酸锂电光调制器，涉及电光调制器技术领域，该薄膜铌酸锂电光调制器包括：键合薄膜铌酸锂层的基底层以及设置在基底层上的集总电极和拓扑光子晶体结构；所述拓扑光子晶体结构包括：第一拓扑光子晶体以及与第一拓扑光子晶体成镜面对称的第二拓扑光子晶体；所述第一拓扑光子晶体和第二拓扑光子晶体在薄膜铌酸锂层上以对称面形成拓扑界面态；所述集总电极分布在所述拓扑光子晶体结构的两侧。本申请通过设置第一拓扑光子晶体结构与第二拓扑光子晶体结构镜面对称以及将集总电极设置在拓扑光子晶体结构两侧，能够实现在保持调制速度的同时，减小薄膜铌酸锂电光调制器的整体尺寸。
本发明授权一种薄膜铌酸锂电光调制器在权利要求书中公布了：1.一种薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述薄膜铌酸锂电光调制器包括：键合薄膜铌酸锂层的基底层以及设置在基底层上的集总电极和拓扑光子晶体结构； 所述拓扑光子晶体结构包括：第一拓扑光子晶体以及与第一拓扑光子晶体成镜面对称的第二拓扑光子晶体；所述第一拓扑光子晶体和第二拓扑光子晶体在薄膜铌酸锂层上以对称面形成拓扑界面态； 所述集总电极分布在所述拓扑光子晶体结构的两侧； 所述第一拓扑光子晶体和第二拓扑光子晶体均包括：多个周期为454nm的光子晶体； 所述光子晶体的周期占空比为0.5； 所述光子晶体包括：波导宽度为900nm的第一介质和波导宽度为400nm的第二介质。
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