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龙图腾网获悉无锡江松科技股份有限公司申请的专利一种钝化接触式背接触太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510160836.6，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种钝化接触式背接触太阳电池及其制备方法是由陈德超设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钝化接触式背接触太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钝化接触式背接触太阳电池及其制备方法，电池包含晶体硅基体，晶体硅基体的正面为钝化减反层，背面从内到外依次为第一隧穿层、第一多晶硅层、第二隧穿层、第二多晶硅层、钝化层和金属电极，其中，第一多晶硅层包含第一n+多晶硅区、第一p+多晶硅区和第一隔离区，第二多晶硅层包含第二n+多晶硅区、第二p+多晶硅区和第二隔离区，且第一p+多晶硅区中硼元素的掺杂浓度低于第二p+多晶硅区中硼元素的掺杂浓度，第一n+多晶硅区中磷元素的掺杂浓度低于第二n+多晶硅区中磷元素的掺杂浓度。本发明的电池在背面采用双层隧穿多晶硅结构，可以同时满足低金属接触复合、低非金属接触区域复合和低接触电阻率。

本发明授权一种钝化接触式背接触太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钝化接触式背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对晶体硅基体作制绒处理，去除损伤层并形成金字塔陷光结构，所述晶体硅基体为N型晶体硅基体或P型晶体硅基体，所述晶体硅基体的电阻率为0.3~10Ω•cm，所述晶体硅基体的厚度为50~300μm； 2在步骤1处理后的晶体硅基体前表面沉积一层掩模层； 3将步骤2处理后的晶体硅基体置于抛光溶液中，使得背表面被刻蚀成抛光表面，所述抛光溶液包括加热的NaOH、KOH、TMAH溶液中的至少一种，所述加热温度为75-85℃，刻蚀时间为50-120s； 4在步骤3刻蚀后的晶体硅基体的背表面依次沉积第一隧穿氧化层、第一本征非晶硅层、第二隧穿氧化层和第二本征非晶硅层； 5采用离子注入的方式在步骤4处理后的晶体硅基体的背表面上进行磷注入和硼注入，分别形成n+注入区和p+注入区，n+注入区和p+注入区之间留有间隙； 6将步骤5处理后的晶体硅基体放入退火炉中进行高温退火处理，在高温退火的作用下，p+注入区中的硼元素和n+注入区中的磷元素分别会对第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层进行硼掺杂和磷掺杂，最终形成第一p+多晶硅区和第二p+多晶硅区以及第一n+多晶硅区和第二n+多晶硅区，其中第一p+多晶硅区中硼元素的掺杂浓度低于第二p+多晶硅区中硼元素的掺杂浓度，第一n+多晶硅区中磷元素的掺杂浓度低于第二n+多晶硅区中磷元素的掺杂浓度； 7将步骤6处理后的晶体硅基体放入清洗机中进行清洗并烘干，使得掩模层和退火中生成的氧化层均被去除干净； 8在步骤7处理后的晶体硅基体的前表面和背表面上分别制作钝化减反射层和钝化层； 9通过丝网印刷的方法在步骤8处理后的晶体硅基体的背表面上印刷金属银电极，印刷结束后将晶体硅基体传送入带式烧结炉进行烧结形成欧姆接触。

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