浙江美迪凯光学半导体有限公司韩巍巍获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江美迪凯光学半导体有限公司申请的专利一种晶圆片改圆加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120208529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510644802.4，技术领域涉及：C03B33/02；该发明授权一种晶圆片改圆加工工艺是由韩巍巍;郭泽远;韩威风;陈银培;葛文志设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆片改圆加工工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆片改圆加工工艺，其方法包括以下步骤，步骤1、激光切割：将晶圆片放在切割平台上面，设备通过设计的路线切割；步骤2、腐蚀：激光切割后的晶圆片表面有弧度的缝隙，将晶圆片整体放入酸溶液中进行腐蚀，做出槽口；步骤3、镀膜：将腐蚀后清洗后的产品再进行镀膜；步骤4、裂片：将镀膜好的片放在平台上，高温下进行裂片。通过本发明中腐蚀工序后续裂片不会崩坏，裂片后无崩点，然后再进行扩膜把产品与边料拉伸分离便于后道操作，提升镀膜良率，减少作业人员，实现自动化极大降低了设备及人工的成本。
本发明授权一种晶圆片改圆加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种晶圆片改圆加工方法，其特征在于：由以下步骤构成， 步骤1、激光切割：将晶圆片放在切割平台上面，设备通过设计的路线切割；其切割深度与所述晶圆片厚度的比为1:40-60；所述激光切割是引切，其切割次数为2次；切割后缝隙的深度为0.01mm； 步骤2、腐蚀：激光切割后的晶圆片表面有弧度的缝隙，将晶圆片整体放入酸溶液中进行腐蚀，其时间为20-30min，腐蚀室温为20-26℃，腐蚀深度与所述晶圆片厚度的比为1:1-5，做出槽口；所述酸溶液是氟化氢铵、盐酸、氢氟酸、硝酸、水体积比为400：30：300：30：900的混合溶液；将腐蚀后清洗后的产品再进行镀膜； 步骤3、裂片：将加工好的片放在平台上，高温下进行二氧化碳裂片，裂片温度150℃-250℃。
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