季华实验室张南获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种磁铁装置及磁控溅射阴极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120330671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510826587.X，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种磁铁装置及磁控溅射阴极是由张南;黄吉裕;彭定强;罗骞;伍三忠设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁铁装置及磁控溅射阴极在说明书摘要公布了：本申请提供了一种磁铁装置及磁控溅射阴极，涉及磁控溅射技术领域。通过在内磁铁和或外磁铁的弯道区域中的部分区域，表面增加至少一个第一磁铁或替换为至少一个剩余磁场强度更大的第二磁铁，或者在内磁铁的弯道区域和外磁铁的弯道区域之间增加至少一个第三磁铁，以使弯道区域的水平磁场分布为强弱相间，有效改善了弯道区域的磁场分布，从而减弱或消除对角效应，显著提高靶材的利用率，降低生产成本，实施方式更加灵活，成本更低。
本发明授权一种磁铁装置及磁控溅射阴极在权利要求书中公布了：1.一种磁铁装置，所述磁铁装置包括内磁铁10和外磁铁20，所述内磁铁10设置在所述外磁铁20的内侧，所述内磁铁10和所述外磁铁20均具有一个中部的直道区域30和两个端部的弯道区域40，直道区域30的两端分别连接其中一个弯道区域40，所述内磁铁10和所述外磁铁20朝上一侧的极性相反，其特征在于，所述内磁铁10和或所述外磁铁20的弯道区域40中的部分区域，表面增加至少一个第一磁铁51或替换为至少一个剩余磁场强度更大的第二磁铁52，或者在所述内磁铁10的弯道区域40和外磁铁20的弯道区域40之间增加至少一个第三磁铁53，且所述内磁铁10的弯道区域40对应的所述第一磁铁51或所述第二磁铁52在沿弯道区域40的弧长方向的最大长度均小于所述内磁铁10的弯道区域40的弧长，所述外磁铁20的弯道区域40对应的所述第一磁铁51或所述第二磁铁52在沿弯道区域40的弧长方向的最大长度均小于所述外磁铁20的弯道区域40的弧长，所述第三磁铁53在沿弯道区域40的弧长方向的最大长度小于所述外磁铁20的弯道区域40的弧长，以使弯道区域40的水平磁场分布为强弱相间。
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