浙江理工大学龚楚淇获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江理工大学申请的专利用于超材料织物无线体域网络近场通信的ISM频段宽带天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120581867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511087477.2，技术领域涉及：H01Q1/50；该发明授权用于超材料织物无线体域网络近场通信的ISM频段宽带天线是由龚楚淇;李霖;蔡晶晶;池禹藩设计研发完成，并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于超材料织物无线体域网络近场通信的ISM频段宽带天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于超材料织物无线体域网络近场通信的ISM频段宽带天线，属于无线通信领域，包括介质基板，介质基板的底层刻蚀有耦合结构，顶层刻蚀有第一馈电线结构、第二馈电线结构、第三馈电线结构和第四馈电线结构，第三馈电线节结构和第四馈电线结构的电流波腹处分别设置有第一远场抑制电阻和第二远场抑制电阻，第一馈电线结构和第三馈电线结构、第二馈电线结构和第四馈电线结构的交接处分别设置有第一阻抗匹配电阻和第二阻抗匹配电阻。本发明提供的用于超材料织物无线体域网络近场通信的ISM频段宽带天线，有效解决由超材料织物构建的WBAN系统中因电磁波远场辐射泄露导致的数据安全性问题，提高WBAN应用场景的信息安全性。
本发明授权用于超材料织物无线体域网络近场通信的ISM频段宽带天线在权利要求书中公布了：1.一种用于超材料织物无线体域网络近场通信的ISM频段宽带天线，其特征在于：包括介质基板，介质基板的底层刻蚀有耦合结构，介质基板的顶层刻蚀有第一馈电线结构、第二馈电线结构、第三馈电线结构和第四馈电线结构，第三馈电线结构和第四馈电线结构的电流波腹处分别设置有第一远场抑制电阻和第二远场抑制电阻，第一馈电线结构和第三馈电线结构的交接处设置有第一阻抗匹配电阻，第二馈电线结构和第四馈电线结构的交接处设置有第二阻抗匹配电阻； 耦合结构为Y形结构； 通过改变第一阻抗匹配电阻和第二阻抗匹配电阻的阻值以及Y形耦合结构的开口度数来调控中心工作频率和阻抗匹配度； 通过改变第一远场抑制电阻和第二远场抑制电阻的阻值大小来调节远场辐射增益。
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