深圳市矩阵多元科技有限公司胡小波获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市矩阵多元科技有限公司申请的专利一种改善磁控溅射薄膜均匀性的镀膜设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223445630U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422725704.7，技术领域涉及：C23C14/35；该实用新型一种改善磁控溅射薄膜均匀性的镀膜设备是由胡小波;张晓军;李佳小龙设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善磁控溅射薄膜均匀性的镀膜设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种改善磁控溅射薄膜均匀性的镀膜设备，属于半导体生产设备技术领域，包括基片台，所述基片台设置有冷却通道和冷却气孔，所述基片台的上端凸出设置支撑部；气孔塞，所述气孔塞可升降调节地设置于所述基片台；基板，所述基板放置于所述支撑部。本申请可以在调试阶段根据基板的温度分布情况，调节对应位置的冷却气孔的开闭，在温度高的区域打开冷却气孔，使其连通冷却通道，从而利用冷却气体进行降温，并且冷却气体在从冷却气孔送出时，可以利用均气空间进行小范围的均气，实现区域降温，达到温度调控的目的，使得基板表面的温度均匀一致，进而改善镀膜的均匀性。
本实用新型一种改善磁控溅射薄膜均匀性的镀膜设备在权利要求书中公布了：1.一种改善磁控溅射薄膜均匀性的镀膜设备，其特征在于，包括： 基片台，所述基片台设置有冷却通道和冷却气孔，所述冷却气孔分布在所述基片台的上端面、并连通所述冷却通道，所述基片台的上端凸出设置支撑部，所述冷却气孔位于所述支撑部围绕的区域内； 气孔塞，所述气孔塞可升降调节地设置于所述基片台，所述气孔塞在升降调节的过程中具有闭合状态和打开状态，当所述气孔塞处于所述闭合状态的情况下，与所述气孔塞正对的所述冷却气孔关闭；当所述气孔塞处于所述打开状态的情况下，与所述气孔塞正对的所述冷却气孔连通所述冷却通道； 基板，所述基板放置于所述支撑部，所述基板与所述基片台的上端面之间形成均气空间。
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