苏州龙驰半导体科技有限公司王帅获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利半导体膜层沉积设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223445639U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422694252.0,技术领域涉及:C23C16/455;该实用新型半导体膜层沉积设备是由王帅;束程设计研发完成,并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体膜层沉积设备在说明书摘要公布了:本申请实施例提供一种半导体膜层沉积设备,包括:设备主体;所述设备主体的下部连接用于输入第一气体的第一管路和用于输入第二气体的第二管路;第一气体用于在晶圆表面形成第一膜层,第二气体用于在晶圆表面形成第二膜层;用于承载晶圆的晶舟,设置于设备主体内;套筒,设置于设备主体内且围设于晶舟的外侧;套筒与晶舟之间形成上行气体流道,套筒与设备主体之间形成下行气体流道;上行气体流道与各输入气体的管路连通,上行气体流道与下行气体流道连通。本申请实施例提供的技术方案通过一个沉积设备连续在晶圆表面形成两个膜层,减少了沉积设备的数量,从而降低生产成本。
本实用新型半导体膜层沉积设备在权利要求书中公布了:1.一种半导体膜层沉积设备,其特征在于,包括: 设备主体;所述设备主体的下部连接用于输入第一气体的第一管路和用于输入第二气体的第二管路;第一气体用于在晶圆表面形成第一膜层,第二气体用于在晶圆表面形成第二膜层; 用于承载晶圆的晶舟,设置于设备主体内; 套筒,设置于设备主体内且围设于晶舟的外侧;套筒与晶舟之间形成上行气体流道,套筒与设备主体之间形成下行气体流道;上行气体流道与各输入气体的管路连通,上行气体流道与下行气体流道连通。
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