上海新漫晶体材料科技有限公司何晓明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新漫晶体材料科技有限公司申请的专利可视下降法卤化物晶体生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223445681U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422959682.0，技术领域涉及：C30B11/00；该实用新型可视下降法卤化物晶体生长装置是由何晓明;叶崇志;陈凯;丁祖兵设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本可视下降法卤化物晶体生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种可视下降法卤化物晶体生长装置，采用在可视下降法卤化物晶体生长装置的上方设置上加温区；在上加温区的下方沿着中心轴线方向设置梯度区；在梯度区的下方沿着中心轴线方向设置下温区；在上加温区中间设置坩埚；在上加温区，梯度区与下加温区构成的腔体内，晶体至上而下生长；可以大大节约低温卤化物晶体生长过程的时间成本和材料能源的浪费，解决了传统下降法卤化物晶体生长装置无法实时观察晶体生长情况。造成材料能源的浪费；另外受下降法晶体生长过程中坩埚与晶体接触的影响，容易出现多晶甚至开裂，因此早发现、早干预晶体生长，可以避免或者减少时间和材料能源的浪费的技术问题。
本实用新型可视下降法卤化物晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种可视下降法卤化物晶体生长装置，其特征在于，包括： 上加温区，在所述可视下降法卤化物晶体生长装置的上方设置所述上加温区； 梯度区，在所述上加温区的下方沿着中心轴线方向设置所述梯度区； 下加温区，在所述梯度区的下方沿着中心轴线方向设置所述下加温区； 坩埚，在所述上加温区中间设置所述坩埚； 在所述上加温区，所述梯度区与所述下加温区构成的腔体内，晶体至上而下生长。
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