先导原创(上海)新技术研究有限公司罗寅辉获国家专利权
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龙图腾网获悉先导原创(上海)新技术研究有限公司申请的专利一种碳化硅晶体生长坩埚、装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223445686U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422411728.5，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种碳化硅晶体生长坩埚、装置是由罗寅辉;黄立文;陈俊宏设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶体生长坩埚、装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长坩埚、装置，属于半导体材料技术领域，所述坩埚具有坩埚盖、坩埚壁、坩埚底部以及由所述坩埚壁和坩埚底部围合成的腔体，所述坩埚盖盖合所述腔体，所述坩埚盖在所述腔体内部一侧设置有籽晶粘接位；所述腔体包括相互连通的生长腔室和原料腔室，所述原料腔室内设置自所述坩埚底部且向所述腔体的顶部延伸的第一多孔筒状件和第二多孔筒状件，所述第一多孔筒状件包括第一筒壁及中通的中筒且所述中筒的顶部与所述生长腔室连通，所述第二多孔筒状件设置在所述第一多孔筒状件与所述坩埚壁之间；能够有效的改善碳包覆问题，有效的避免生长腔内大量的多晶沉积，有效的改善碳化硅的结晶问题，提高原料利用率。
本实用新型一种碳化硅晶体生长坩埚、装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长坩埚，其特征在于，所述坩埚具有坩埚盖、坩埚壁、坩埚底部以及由所述坩埚壁和坩埚底部围合成的腔体，所述坩埚盖盖合所述腔体，所述坩埚盖在所述腔体内部一侧设置有籽晶粘接位； 所述腔体包括相互连通的生长腔室和原料腔室，所述原料腔室内设置自所述坩埚底部且向所述腔体的顶部延伸的第一多孔筒状件和第二多孔筒状件，所述第一多孔筒状件包括第一筒壁及中通的中筒且所述中筒的顶部与所述生长腔室连通，所述第二多孔筒状件包括设置在所述第一多孔筒状件与所述坩埚壁之间的第二筒壁； 其中，所述第二筒壁与所述坩埚壁之间的第一区域被用于放置碳化硅原料，所述第一筒壁与所述第二筒壁之间的第二区域被用于放置钽颗粒。
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