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龙图腾网获悉合肥露笑半导体材料有限公司申请的专利一种n型4H碳化硅单晶生长装备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223445687U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422847699.7，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种n型4H碳化硅单晶生长装备是由郑建生;鲁永;张洪光;朱哲洲;陈奇;马永生;金灿明设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种n型4H碳化硅单晶生长装备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及碳化硅单晶生长技术领域，具体涉及一种n型4H碳化硅单晶生长装备，生长装备包括设备框架平台、操作平台、电源系统、控制系统、提升机总成和真空腔体总成，操作平台、电源系统和控制系统均设置在设备框架平台的一侧，真空腔体总成设置在设备框架平台上，提升机总成对应真空腔体总成设置在设备框架平台上，电源系统和控制系统均与真空腔体总成电性相连，还包括气路面板总成、循环冷却水供应系统、真空检测装置以及温场升降旋转总成，真空腔体总成包括真空腔室、真空炉盖、抽低真空装置、抽高真空装置、红外测温仪和放气阀。本实用新型能够持续增大碳化硅单晶材料的晶圆尺寸，降低缺陷密度。

本实用新型一种n型4H碳化硅单晶生长装备在权利要求书中公布了：1.一种n型4H碳化硅单晶生长装备，包括设备框架平台1、操作平台2、电源系统3、控制系统4、提升机总成5和真空腔体总成6，所述操作平台2、所述电源系统3和所述控制系统4均设置在所述设备框架平台1的一侧，所述真空腔体总成6设置在所述设备框架平台1上，所述提升机总成5对应所述真空腔体总成6设置在所述设备框架平台1上，所述电源系统3和所述控制系统4均与所述真空腔体总成6电性相连，其特征在于，还包括： 气路面板总成7，所述气路面板总成7设置在所述真空腔体总成6的外侧用于向所述真空腔体总成6内充入惰性气体； 循环冷却水供应系统8，所述循环冷却水供应系统8设置在所述设备框架平台1上并用于对所述电源系统3、所述提升机总成5以及所述真空腔体总成6进行冷却； 真空检测装置9，所述真空检测装置9包括检测管道10、皮拉尼真空计11和电离规真空计，所述检测管道10连接设置在所述真空腔体总成6上，所述皮拉尼真空计11和所述电离规真空计安装在所述检测管道10上； 所述真空腔体总成6包括真空腔室12、真空炉盖13、抽低真空装置14、抽高真空装置15、红外测温仪16和放气阀17，所述真空炉盖13盖设在所述真空腔室12的顶部，所述提升机总成5与所述真空炉盖13配合相连，所述真空腔室12内设置有用于提供加热的感应加热器，所述红外测温仪16设置在所述真空炉盖13上并用于对所述真空腔室12内测温，所述抽低真空装置14和所述抽高真空装置15分别设置在所述真空腔室12的外壁上并与所述真空腔室12内连通，所述放气阀17连通设置在所述真空腔室12的外侧壁上； 温场升降旋转总成，所述温场升降旋转总成设置在所述真空腔室12内，并用于旋转和提升放置在所述真空腔室12内的石墨坩埚，所述石墨坩埚内用于存放碳化硅原料。

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