台湾积体电路制造股份有限公司王屏薇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及存储器装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452322U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422252438.0，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型半导体结构及存储器装置是由王屏薇;张峰铭;陈瑞麟;吴於贝设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及存储器装置在说明书摘要公布了：本实用新型的各种实施例是关于一种半导体结构，所述半导体结构包括二端口静态随机存取存储器SRAM胞元，SRAM胞元具有写入端口部分及电耦接至写入端口部分的读取端口部分。读取端口部分包括具有第一源极漏极特征及第二源极漏极特征的晶体管。所述半导体结构还包括第一多条金属线，第一多条金属线包括写入位线及互补写入位线，其中第一多条金属线位于第一金属互连层处，其中第一金属互连层位于第一源极漏极特征之上。所述半导体结构还包括位于第二金属互连层处的读取位线，其中第二金属互连层位于第一源极漏极特征下方。
本实用新型半导体结构及存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 二端口静态随机存取存储器胞元，包括： 写入端口部分；以及 读取端口部分，电耦接至所述写入端口部分且包括具有第一源极漏极特征及第二源极漏极特征的晶体管； 第一多条金属线，包括写入位线及互补写入位线，其中所述第一多条金属线位于第一金属互连层处，其中所述第一金属互连层位于所述第一源极漏极特征之上；以及 读取位线，位于第二金属互连层处，其中所述第二金属互连层位于所述第一源极漏极特征下方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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