深圳市美浦森半导体有限公司滕渊获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种沟槽栅MOSFET获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452326U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422892016.X，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种沟槽栅MOSFET是由滕渊;刘坤设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽栅MOSFET在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体器件技术，公开一种沟槽栅MOSFET，包括：自下往上依次设有漏极金属层、衬底、缓冲层、N型漂移区、P+基区、源极层和源极金属层；在N型漂移区上层中部挖空处设有沟槽区，且沟槽区还纵向贯穿P+基区、源极层和源极金属层；其中，源极层包括左侧并排设置的P+源极和N+源极、右侧并排设置的N+源极和P+源极，且N+源极均紧邻沟槽区；在沟槽区底部设有P型栅极，P型栅极之上设有被氧化层包裹隔离的沟槽栅极；两个纵向贯穿衬底和缓冲层、连接N型漂移区和漏极金属层的N型栅极。本实用新型旨在旨在降低MOSFET器件的导通电阻，提高器件的电气性能。
本实用新型一种沟槽栅MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅MOSFET，其特征在于，包括： 自下往上依次设有漏极金属层、衬底、缓冲层、N型漂移区、P+基区、源极层和源极金属层； 在N型漂移区上层中部挖空处设有沟槽区，且沟槽区还纵向贯穿P+基区、源极层和源极金属层；其中，源极层包括左侧并排设置的P+源极和N+源极、右侧并排设置的N+源极和P+源极，且N+源极均紧邻沟槽区； 在沟槽区底部设有P型栅极，P型栅极之上设有被氧化层包裹隔离的沟槽栅极； 两个纵向贯穿衬底和缓冲层、连接N型漂移区和漏极金属层的N型栅极。
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