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龙图腾网获悉北京伽略电子股份有限公司申请的专利一种稳定性高的OTP版图结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452331U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421769492.6，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型一种稳定性高的OTP版图结构是由勇智强;张琼;李杏子设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种稳定性高的OTP版图结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种稳定性高的OTP版图结构，包括隔离地环和连接在隔离地环内部的电源线VDD、地线GND、三极管区域、电容区域、第一COMS管区域、第二COMS管区域、分压电阻区域、数字区域。本实用新型合理规划了版图信号，元器件布局紧凑，提高了芯片面积利用率；根据版图技术方案中规则进行高精度匹配，保证周围环境的一致性，提高其精度和性能。本实用新型过温保护精度高，实现实时温度监测，提高了芯片自身的可靠性和稳定性，延长器件的使用寿命，基于集成工艺技术，在模块方案中遵循结构紧凑，重要器件严格匹配，增加屏蔽环，保证足够的衬底接触，减少寄生电阻和寄生电容产生干扰，减小芯片面积，节约芯片制造成本。

本实用新型一种稳定性高的OTP版图结构在权利要求书中公布了：1.一种稳定性高的OTP版图结构，其特征在于：包括隔离地环，连接在所述隔离地环内部的电源线VDD、地线GND，连接在所述隔离地环内部左侧的三极管区域110，连接在所述三极管区域110右侧并从上到下依次排列的电容区域120、第一COMS管区域130、第二COMS管区域140、分压电阻区域150和连接在所述第一COMS管区域130、所述第二COMS管区域140右侧的数字区域160，所述数字区域160位于所述电容区域120、所述分压电阻区域150之间，所述电容区域120、所述第一COMS管区域130、所述第二COMS管区域140、所述分压电阻区域150和所述数字区域160均位于所述隔离地环内部； 所述三极管区域110包括共隔离环布局成2行1列三极管Q0、Q1； 所述电容区域120包括电容C0； 所述第一COMS管区域130包括电流镜匹配且布局成1行4列P型5VCOMS管M11、M12； 所述第二COMS管区域140包括电流镜匹配，布局成1行3列的N型5VCOMS管M3、M4； 所述分压电阻区域150包括共质心匹配且单行布局依次排列的分压电阻R5、R0、R1、R2、R3和位于电阻R5左端的电阻R4； 电阻R4、R5、R0、R1、R2、R3，三极管Q0和NMOS管M2构成温度传感器电路，电阻R4的一端输入参考电压VREF；PMOS管M11、M12，NMOS管M3、M4和三极管Q1构成比较单元电路；所述数字区域160的PMOS管M14、M18，NMOS管M5、M7，PMOS管M13，NMOS管M6和电容C0构成反相器电路；所述数字区域160的PMOS管M16、M15、M17和5VNMOS管M8、M9、M10构成斯密特触发器；所述数字区域160的反相器I1、I6构成迟滞控制单元电路；反相器I1的输入端为使能端，反相器I6的输出端为OTP版图结构的输出端； 所述温度传感器电路、所述比较单元电路、所述反相器电路、所述斯密特触发器、所述迟滞控制单元电路依次电连接，所述反相器电路与反相器I1电连接，所述斯密特触发器与所述温度传感器电路、反相器I6均电连接。

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