北京伽略电子股份有限公司勇智强获国家专利权
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龙图腾网获悉北京伽略电子股份有限公司申请的专利一种降低功率MOS导通电阻的版图结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452332U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421782940.6，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型一种降低功率MOS导通电阻的版图结构是由勇智强;刘兆敏;孙德玉设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低功率MOS导通电阻的版图结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种降低功率MOS导通电阻的版图结构，包括NLDMOS管NM0和管NM2，管NM0的尺寸大于管NM2，管NM0部分位于管NM2左侧、部分位于管NM2右侧且左侧和右侧相连，管NM0和管NM2组成对称版图结构；管NM0、管NM2的漏极均连接SW，源极均连接PGND；管NM0栅极与管NM2栅极连接不同的电位。本实用新型使MOSFET功率管的电流分布更加均匀；增加了接触孔的数量，同时也结合了对角连线，华夫饼式，曲栅式三种类型的版图优点，连线采取了交叉对称的方式，加入了衬底孔与源极孔做在同一个有缘区里面，让P+和N+相切，且直接用MET1连接起来，减小了衬底和源端的连接电阻，从而使得MOS的导通电阻更小。
本实用新型一种降低功率MOS导通电阻的版图结构在权利要求书中公布了：1.一种降低功率MOS导通电阻的版图结构，其特征在于：包括NLDMOS管NM0和管NM2，管NM0的尺寸大于管NM2，管NM0部分位于管NM2左侧、部分位于管NM2右侧且左侧和右侧相连，管NM0和管NM2组成对称版图结构；管NM0、管NM2的漏极均连接SW，源极均连接PGND；管NM0栅极与管NM2栅极连接不同的电位； 管NM0和管NM2的源极均连接源极孔1且均通过所述源极孔1与衬底连接。
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