株式会社迪思科松崎荣获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利蚀刻装置和晶片支承件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010737261.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权蚀刻装置和晶片支承件是由松崎荣设计研发完成，并于2020-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻装置和晶片支承件在说明书摘要公布了：本发明提供蚀刻装置和晶片支承件，在湿蚀刻时，抑制清洗水的飞散。要进行湿蚀刻的晶片W支承于具有间隙的晶片支承件3。并且，清洗单元31在通过清洗水对晶片支承件3所支承的晶片W的上表面进行清洗时，通过配置于晶片支承件3的下方的清洗液用瓶32对从晶片支承件3的间隙流下的清洗水进行回收。由此，能够一边抑制清洗水向晶片W的周围飞散一边良好地回收清洗水。
本发明授权蚀刻装置和晶片支承件在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻装置，其是对晶片支承件所支承的晶片进行湿蚀刻的湿蚀刻装置，其中， 该蚀刻装置包含： 蚀刻单元，其使蚀刻液积存于该晶片支承件所支承的晶片的上表面上而对晶片的上表面进行蚀刻； 清洗单元，其通过清洗水对该晶片支承件所支承的晶片的上表面进行清洗； 干燥单元，其用于使该晶片支承件所支承的晶片旋转而使晶片干燥；以及 收纳室，其对该蚀刻单元、该清洗单元以及该干燥单元进行收纳， 该晶片支承件具有主体部和腿， 该主体部包含： 基部，其与晶片的下表面局部接触而载置晶片；以及 多个柱部，它们按照围绕载置于该基部的晶片的方式竖立设置于该基部， 该腿从该主体部向外侧伸出， 该清洗单元构成为对从该晶片支承件的间隙流下的清洗水进行回收， 该蚀刻装置对晶片的上表面进行蚀刻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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