南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110792627.5，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权半导体元件及其制备方法是由黄则尧设计研发完成，并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、一第一应力释放结构、一第二应力释放结构以及一导电结构；第一应力释放结构具有一第一导电框架以及多个第一隔离栓柱，第一导电框架位在半导体基底上，该多个第一隔离栓柱位在第一导电框架内；第二应力释放结构具有多个第二导电栓柱以及一第二隔离框架，该多个第二导电栓柱位在第一应力释放结构上，并位在第二隔离框架内；该导电结构具有一支撑部、一导电部以及多个间隙子，支撑部位在第二应力释放结构上，导电部位在邻近支撑部处，该多个间隙子贴合到导电部的两侧处。该多个第二导电栓柱对应设置在多个第一隔离栓柱上，以及第二隔离框架对应设置在第一导电框架上。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一第一应力释放结构，包括一第一导电框架以及多个第一隔离栓柱，该第一导电框架设置在该基底上，该多个隔离栓柱设置在该第一导电框架内； 一第二应力释放结构，包括多个第二导电栓柱以及一第二隔离框架，该多个第二导电栓柱位在该第一应力释放结构上，且该多个第二导电栓柱位在该第二隔离框架内，其中该第二隔离框架的一材料的一介电常数是小于该多个第一隔离栓柱的一材料的一介电常数；以及 一导电结构，包括一支撑部、一导电部以及多个间隙子，该支撑部位在该第二应力释放结构上，该导电部位在邻近该支撑部处，该多个间隙子贴合到该导电部的两侧处； 其中该第一导电框架的一宽度等于每一第二导电栓柱的一宽度，并且等于该导电部的一底部的一宽度；以及 其中该多个第二导电栓柱对应设置在该多个第一隔离栓柱上，以及该第二隔离框架对应设置在该第一导电框架上。
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