买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有抗蚀刻氮化物层的半导体元件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110908605.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权具有抗蚀刻氮化物层的半导体元件的制备方法是由林诗恩;吴威政;曾纬伦;吴文杰设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有抗蚀刻氮化物层的半导体元件的制备方法在说明书摘要公布了：提供半导体元件的制备方法，包括：提供基底在反应腔室中；形成未处理氮化硅膜在基底上；形成处理过氮化硅膜在未处理氮化硅膜上。形成未处理氮化硅膜包括：a供应第一硅前驱物进入反应腔室；b供应氮前驱物进入反应腔室。a与b按序且重复执行以形成未处理氮化硅膜。形成处理后氮化硅膜包括：c提供第二硅前驱物进入反应腔室；d通过提供多个氢自由基进入反应腔室以减少来自第二硅前驱物的化学物种中的杂质来执行第一氢自由基清除；e供应第二氮前驱物进入反应腔室。c、d及e按序且重复执行以形成处理后氮化硅膜。未处理氮化硅膜与处理后氮化硅膜一起形成氮化硅层。

本发明授权具有抗蚀刻氮化物层的半导体元件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制备方法，包括： 提供一基底在一反应腔室中； 形成一氮化硅层，包含： 形成一第一未处理氮化硅膜在该基底上，包括下列步骤： a供应一第一硅前驱物进入该反应腔室，借此允许来自该第一硅前驱物的多个化学物种以被吸收在该基底上；以及 b供应一第一氮前驱物进入该反应腔室，借此氮化所述多个化学物种以沉积所得的氮化硅在该基底上； 其中，该步骤a以及该步骤b是按序且重复执行，以形成该第一未处理氮化硅膜； 形成一处理后氮化硅膜于该第一未处理氮化硅膜，包括下列步骤： c供应一第二硅前驱物进入该反应腔室，借此允许来自该第二硅前驱物的多个化学物种，以被吸收到于执行该步骤a以及该步骤b后形成的该第一未处理氮化硅膜上； d通过提供多个氢自由基进入该反应腔室以减少来自该第二硅前驱物的所述多个化学物种中的杂质来执行一第一氢自由基清除；以及 e供应一第二氮前驱物进入该反应腔室，借此氮化来自该第二硅前驱物的所述多个化学物种以沉积所得的氮化硅在该第一未处理氮化硅膜上； 其中，该步骤c、该步骤d以及该步骤e按序且重复执行，以在该第一未处理氮化硅膜上形成该处理后氮化硅膜； 形成一第二未处理氮化硅膜在该处理后氮化硅膜上，使该处理后氮化硅膜夹置于该第一未处理氮化硅膜与该第二未处理氮化硅膜之间，包含：于形成该处理后氮化硅膜后重复执行该步骤a以及该步骤b， 其中，该处理后氮化硅膜具有一第一杂质浓度，该第一未处理氮化硅膜具有一第二杂质浓度，该第二未处理氮化硅膜具有一第三杂质浓度，该第一杂质浓度低于该第二杂质浓度与该第三杂质浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。