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龙图腾网获悉默克专利有限公司申请的专利制造分子层的方法和包含其的电子组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114616686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080076240.3，技术领域涉及：C07D291/00；该发明授权制造分子层的方法和包含其的电子组件是由P·科尔施;S·雷希;H·塞姆;J·伍德拉夫;C·纳纳亚卡拉设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造分子层的方法和包含其的电子组件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种使用原子层沉积ALD技术在衬底上制造分子层的方法，其用于电子组件，特别用于ReRAM类型的存储元件。本发明还涉及用于生产所述分子层的化合物和包含所述分子层的存储元件。

本发明授权制造分子层的方法和包含其的电子组件在权利要求书中公布了：1.一种生产电子组件的方法，所述方法包括至少如下步骤 i提供布置在沉积室中的具有表面的能够充当第一电极102的衬底， ii通过在原子层沉积工艺中使衬底接连暴露于第一和第二反应物而在所述表面上形成锚固层103，所述原子层沉积工艺结束于使衬底暴露于所述第一反应物以形成反应性表面，和 iii利用一种或多种化合物的物理气相沉积，在所述反应性表面上形成分子层104，其中所述一种或多种化合物是柔性构象的并具有构象柔性分子偶极矩和配置为与反应性层反应的反应性锚固基团G， 其中分子层104由选自式IA、IB或IC的化合物的一种或多种化合物形成： R1A-A1-Z1r-B1-Z2-A2s-SpA-GIA D1-ZD-A1-Z1r-B1-Z2-A2s-Sp-GIB R1C-A1-Z1r-B1-ZL-A2C-Z3-A3s-SpC-GIC 其中 R1A、R1C是指各自具有1至20个C原子的直链或支化烷基或烷氧基，其中这些基团中的一个或多个CH2基团可各自互相独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-O-、-S-、-CF2O-、-OCF2-、-CO-O-、-O-CO-、-SiR0R00-、-NH-、-NR0-或-SO2-以O原子不直接彼此连接的方式替代，并且其中一个或多个H原子可被卤素、CN、SCN或SF5替代，其中R1C可替代性地是指基团D1-ZD， ZD具有Z1、Z2和Z3的含义之一或是指间隔基团， Z1、Z2、Z3在每次出现时相同或不同地表示单键、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-COS-、-SCO-、-CH2n1-、-CF2n2-、-CF2-CH2-、-CH2-CF2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CH2n3O-、-OCH2n4-、-C≡C-、-O-、-S-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-N＝NO-、-NO＝N-或-N＝C-C＝N-， n1、n2、n3、n4相同或不同地是1、2、3、4、5、6、7、8、9或10， ZL是指-O-、-S-、-CH2-、-CO-、-CF2-、-CHF-、-CRx2-、-SO-或-SO2-， G是指任选甲硅烷基化的OH、或具有1至12个C原子的直链或支化烷基，其中一个、两个或三个非偕H原子被任选甲硅烷基化的OH取代；或碳酸烷基酯基团，其中烷基是具有1至12个C原子的直链或支化烷基；或三烷基甲硅烷基碳酸酯，其中烷基是指具有1至6个C原子的烷基， D1是指金刚烷类基团， A1、A2、A3在每次出现时相同或不同地表示具有4至25个环原子的芳族、杂芳族、脂环族或杂脂族环，其也可含有稠环并且其可被Y单取代或多取代， A2C是指具有5至25个环原子的芳族或杂芳族环，其也可含有稠环并且其可被YC单取代或多取代， Y在每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5+，或直链或支化的、在每种情况下任选氟化的、具有1至12个C原子的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基， YC在每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5，或直链或支化的、在每种情况下任选氟化的、具有1至12个C原子的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，或各自具有3至12个C原子的环烷基或烷基环烷基， B1是指 其中这些基团可朝两个方向取向， L1至L5互相独立地表示F、Cl、Br、I、CN、SF5、CF3或OCF3，其中L3也可替代性地表示H， SpA是指间隔基团或单键， Sp是指间隔基团或单键， SpC是指间隔基团或单键， R0、R00相同或不同地表示具有1至15个C原子的烷基或烷氧基，其中，此外，一个或多个H原子可被卤素替代， Rx是指具有1至6个C原子的直链或支化烷基，且 r、s在每次出现时相同或不同地是0、1或2。

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