中国科学院半导体研究所梁松获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利掩埋结构半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210260922.0，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权掩埋结构半导体激光器及其制备方法是由梁松;剌晓波;朱旭愿;郭竟设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩埋结构半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种掩埋结构半导体激光器，包括：衬底、缓冲层、有源层、盖层、接触层及掩埋层；衬底设于底部，接触层设于顶部，缓冲层、有源层、盖层自下而上设于衬底和接触层之间，两侧被掩埋层掩埋；缓冲层、有源层、盖层均分为激光器区域和模斑转换器区域，激光器区域为矩形区域，模斑转换器区域为以激光器区域的一边为起始宽度向远离激光器区域的方向逐渐收窄的梯形区域；衬底与缓冲层的接触区域被刻蚀与缓冲层形状相同。本公开还提供了该掩埋结构半导体激光器的制备方法。
本发明授权掩埋结构半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掩埋结构半导体激光器，其特征在于，包括： 衬底10、缓冲层20、有源层30、盖层40、接触层70及掩埋层60； 所述衬底10设于底部，接触层70设于顶部，所述缓冲层20、有源层30、盖层40自下而上设于所述衬底10和所述接触层70之间，两侧被所述掩埋层60掩埋； 所述缓冲层20、有源层30、盖层40均分为激光器区域和模斑转换器区域，所述激光器区域为矩形区域，所述模斑转换器区域为以激光器区域的一边为起始宽度向远离所述激光器区域的方向逐渐收窄的梯形区域， 其中，所述缓冲层20、盖层40的激光器区域和模斑转换器区域大小相同，所述有源层30的激光器区域和模斑转换器区域的宽度小于所述缓冲层20和盖层40，所述有源层30的激光器区域、模斑转换器区域与所述缓冲层20和盖层40的对应区域的宽度的差值相同； 所述衬底10与所述缓冲层20的接触区域被刻蚀与所述缓冲层20形状相同。
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