美光科技公司罗双强获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成组件和形成集成组件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210001489.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权集成组件和形成集成组件的方法是由罗双强;徐丽芳;I·V·恰雷设计研发完成，并于2022-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成组件和形成集成组件的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及集成组件和形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件，其具有第一存储器区、第二存储器区和在所述存储器区之间的中间区。堆叠跨所述存储器区和所述中间区延伸。所述堆叠包含交替的导电层级和绝缘层级。沟道材料支柱布置在所述存储器区内。存储器块区跨所述存储器区和所述中间区纵向延伸。阶梯区处于所述中间区内。所述阶梯区中的每一者与所述存储器块区中的两者横向重叠。第一面板区跨所述阶梯区的至少部分纵向延伸。第二面板区在相邻存储器块区之间纵向延伸且提供横向间隔。所述第二面板区具有与所述第一面板区横向不同的尺寸和或在组成上不同于所述第一面板区。一些实施例包含形成集成组件的方法。
本发明授权集成组件和形成集成组件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成组件，其包括： 第一存储器区、从所述第一存储器区偏移的第二存储器区，以及在所述第一存储器区与所述第二存储器区之间的中间区； 跨所述第一和第二存储器区以及所述中间区延伸的堆叠，所述堆叠包括交替的导电层级和绝缘层级； 沟道材料支柱，其布置在所述第一和第二存储器区内； 存储器块区，其跨所述第一和第二存储器区以及所述中间区纵向延伸； 所述中间区内的阶梯区，所述阶梯区中的每一者与所述存储器块区中的相关联两者横向重叠； 第一面板区，其跨所述阶梯区的至少部分纵向延伸且在所述存储器块区的所述相关联两者之间横向延伸； 第二面板区，其在所述存储器块区的相邻区之间纵向延伸且提供横向间隔；并且 所述第二面板区具有与所述第一面板区横向不同的尺寸和或在组成上不同于所述第一面板区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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