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龙图腾网获悉成都智达和创信息科技有限公司申请的专利一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784098B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210480122.X，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT是由孙瑞泽;余丽波;刘超设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT在说明书摘要公布了：本发明公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属；集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极，浮空金属连接在N+集电极区，且集电极金属与浮空金属之间不接触；本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象，因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小，保证器件在反向导通时电流更均匀。

本发明授权一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT在权利要求书中公布了：1.一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧，其特征在于，所述的集电极结构包括P+集电极区11、N+集电极区12和N型缓冲层13、P型导电材料15、集电极金属16、浮空金属17； 所述的N型缓冲层13的其中一侧连接在所述的耐压层结构上，所述的P+集电极区11和N+集电极区12的其中一侧分别连接在所述N型缓冲层13的另一侧，且P+集电极区11和N+集电极区12之间具有间隙，所述集电极金属16连接在所述P+集电极区11的另一侧且引出集电极C，所述的浮空金属17连接在所述N+集电极区12的另一侧，且集电极金属16与浮空金属17之间不接触； 所述P型导电材料15置于所述间隙内且分别与所述的集电极金属16肖特基接触，与所述的浮空金属17欧姆接触，P型导电材料15的侧边与所述的P+集电极区11、N+集电极区12和N型缓冲层13之间均具有间距； 所述发射极结构包括P型阱区31、N+发射极区32、P+体接触区33和发射极金属34； 所述的P型阱区31的其中一侧连接在所述耐压层结构上，所述的N+发射极区32和P+体接触区33之间相互接触，且N+发射极区32和P+体接触区33的其中一侧均连接在所述P型阱区31的另一侧； 所述发射极金属34的其中一侧引出发射极E，另一侧同时连接在所述N+发射极区32和P+体接触区33上； 所述栅极结构包括沟槽栅，所述的沟槽栅由第二绝缘介质层41、导电材料层42和栅极金属43构成，所述的导电材料层42设于第二绝缘介质层41之中，所述的栅极金属43设于导电材料层42上，且引出有栅极G。

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