云南大学王茺获国家专利权
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龙图腾网获悉云南大学申请的专利一种锰碲共掺杂锗双层量子点材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210560538.2，技术领域涉及：H10D62/834；该发明授权一种锰碲共掺杂锗双层量子点材料及其制备方法和应用是由王茺;段潇箫;叶书鸣;王荣飞;卢纯江;何薪鹏;杨杰设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锰碲共掺杂锗双层量子点材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种锰碲共掺杂锗双层量子点材料及其制备方法和应用，涉及纳米材料技术领域。本发明通过生长多层结构的量子点来提高量子点的有序性，通过调控硅中间层的厚度来获得均匀的量子点：首先，上层指第二锰碲共掺杂锗量子点层应变的分布随着硅中间层厚度的增加逐渐变得均匀，所以量子点均匀性增加；其次，底层的量子点指第一锰碲共掺杂锗量子点层会对硅中间层的上表面产生一个张应变的区域，能够为上层量子点的成核提供有利条件。本发明通过制备锰碲共掺锗双层量子点解决了现有技术中量子点居里温度小于室温且制备的量子点尺寸和密度分布不均匀的问题。
本发明授权一种锰碲共掺杂锗双层量子点材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种锰碲共掺杂锗双层量子点材料，包括依次层叠的硅衬底、硅缓冲层、第一锰碲共掺杂锗量子点层、硅中间层和第二锰碲共掺杂锗量子点层；所述硅中间层的厚度为10～40nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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