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龙图腾网获悉国网智能电网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院申请的专利一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210646218.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法是由高明超;金锐;王耀华;刘江;李立;晁武杰设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：体层，所述体层包括元胞区和环绕元胞区的过渡区，所述过渡区包括汇流区；栅极结构，位于部分元胞区上或者部分元胞区中；位于汇流区上的栅汇流条，所述栅汇流条与栅极结构的部分边缘之间具有第一开口；镇流结构，位于汇流区中且延伸至第一开口底部的部分元胞区中；阱区，位于栅极结构周围的部分元胞区中，第一开口底部的体层中具有阱区，所述阱区的导电类型与所述镇流结构的导电类型相同；位于阱区的顶部区域中的源掺杂区，所述源掺杂区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述源掺杂区与所述镇流结构间隔。上述绝缘栅双极晶体管能够缓解元胞区电流集中，降低闩锁风险。

本发明授权一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括： 体层，所述体层包括元胞区和环绕元胞区的过渡区，所述过渡区包括汇流区； 栅极结构，位于部分元胞区上或者部分元胞区中； 位于汇流区上的栅汇流条，所述栅汇流条与栅极结构的部分边缘之间具有第一开口； 镇流结构，位于汇流区中且延伸至第一开口底部的部分元胞区中； 阱区，位于栅极结构周围的部分元胞区中，第一开口底部的体层中具有阱区，所述阱区的导电类型与所述镇流结构的导电类型相同； 位于阱区的顶部区域中的源掺杂区，所述源掺杂区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述源掺杂区与所述镇流结构间隔； 其中，位于所述第一开口底部的阱区为第一阱区，第一阱区与第一开口底部的镇流结构相连；与所述第一开口间隔设置的阱区为第二阱区；所述第一阱区在所述体层表面的投影面积小于所述第二阱区在所述体层表面的投影面积；所述第一阱区在所述体层表面的投影面积为所述第二阱区在所述体层表面的投影面积的20％～50％。

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