株式会社尼康;东丽工程株式会社中积诚获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社尼康;东丽工程株式会社申请的专利晶体管、电子装置及晶体管之制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115136323B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180014587.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权晶体管、电子装置及晶体管之制造方法是由中积诚;岸梅工;森诚树;藤元高佳设计研发完成，并于2021-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管、电子装置及晶体管之制造方法在说明书摘要公布了：本发明之晶体管具有闸极电极、闸极绝缘膜、半导体膜、源极电极及汲极电极，且上述闸极绝缘膜系交替积层SiOx膜与SiCyNz膜而成之积层膜，构成上述积层膜之膜之总数为3层以上18层以下，构成上述积层膜之各膜之膜厚为25nm以上150nm以下。
本发明授权晶体管、电子装置及晶体管之制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其具有闸极电极、闸极绝缘膜、半导体膜、源极电极及汲极电极，且 上述闸极绝缘膜系交替形成SiOx膜与SiCyNz膜而成之积层膜； 上述SiOx膜中的x为1.7以上2.4以下； 上述SiCyNz膜中的y为1.0以上3.5以下，z为超过0且为1.0以下； 构成上述积层膜之膜之总数为3层以上18层以下； 构成上述积层膜之各膜之膜厚为25nm以上150nm以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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