无锡新洁能股份有限公司;国硅集成电路技术(无锡)有限公司朱袁正获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡新洁能股份有限公司;国硅集成电路技术(无锡)有限公司申请的专利一种低损耗MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210830084.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种低损耗MOSFET器件及其制造方法是由朱袁正;杨卓;黄薛佺;张允武;陆扬扬设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低损耗MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低损耗功率MOSFET器件及其制造方法。本发明在第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有纵向沟槽，纵向沟槽内设有第一栅极和第二栅极，在第一导电类型外延层表面设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区下方设有第二导电类型埋层，第二导电类型体区中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，第一导电类型源极和纵向沟槽相接，在纵向沟槽水平延伸的方向上，第二导电类型体区中还设有与纵向沟槽相邻的第一导电类型漏极。本发明提供的低损耗功率MOSFET器件降低了器件纵向漏电流，减小了器件静态功耗，提高了器件可靠性。
本发明授权一种低损耗MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低损耗功率MOSFET器件，包括衬底金属，在所述衬底金属上设有第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层中设有纵向沟槽，所述纵向沟槽内还设有由多晶硅材质组成的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于纵向沟槽上部，所述第二栅极位于纵向沟槽下部，所述第一导电类型外延层表面还设有第二导电类型体区； 其特征在于，在所述第二导电类型体区下方还设有第二导电类型埋层，在所述第二导电类型体区表面还设有重掺杂的第一导电类型源极和第二导电类型源极，所述重掺杂的第一导电类型源极一侧与所述纵向沟槽相接，所述重掺杂的第一导电类型源极另一侧与所述重掺杂的第二导电类型源极相接，在纵向沟槽水平延伸的方向上，在所述第一导电类型外延层表面还设有第一导电类型漏极，所述第一导电类型漏极与所述纵向沟槽相接； 所述第二导电类型埋层浓度高于所述第二导电类型体区浓度。
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