上海华力集成电路制造有限公司贺婷获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210652701.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权鳍式场效应晶体管及其制备方法是由贺婷;郑凯仁设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍式场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制备方法，鳍式场效应晶体管的栅介质层包括氧化铝层和覆盖所述氧化铝层的氮氧化铪层，所述氧化铝层可以与半导体衬底之间形成良好的界面，为氮氧化铪层提供良好的界面基础，阻止氮氧化铪层的结晶外延以及减少栅介质层与半导体衬底之间的界面态密度，所述氧化铝层与所述氮氧化铪层相配合，可以减少载流子移动过程的损耗，调整栅介质层的费米能级，从而减少栅介质层与半导体衬底之间的漏电流，提高器件的可靠性。
本发明授权鳍式场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个鳍部，所述多个鳍部之间具有浅沟槽；以及， 形成栅介质层，所述栅介质层包括氧化铝层和氮氧化铪层，所述氧化铝层覆盖所述浅沟槽的侧壁和底壁并延伸覆盖所述鳍部，所述氮氧化铪层覆盖所述氧化铝层； 其中，形成所述栅介质层的方法包括： 通过第一原子层沉积工艺形成所述氧化铝层； 通过第二原子层沉积工艺形成氧化铪层，所述氧化铪层覆盖所述氧化铝层；以及， 通过第三原子层沉积工艺对所述氧化铪层进行氮化处理，以形成所述氮氧化铪层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201314 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励