武汉华星光电技术有限公司罗成志获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利半导体器件和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210804923.7，技术领域涉及：H10D62/83；该发明授权半导体器件和电子装置是由罗成志设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和电子装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件和电子装置；该半导体器件包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括衬底、缓冲层和有源层，缓冲层设置于衬底一侧，有源层设置于缓冲层远离衬底的一侧，其中，半导体器件还包括金属层，金属层设置于有源层朝向缓冲层的一侧，金属层包括至少一个金属块，且金属块与有源层的至少部分直接接触。本申请通过在有源层朝向缓冲层的一侧设置金属层，金属层包括至少一个金属块，使金属块与有源层的至少部分直接接触，则在将有源层由非晶硅转化为多晶硅时，由于金属块的催化作用，使得多晶硅中的晶粒的尺寸交大，减少了多晶硅中的晶界，提高了半导体器件的迁移率。
本发明授权半导体器件和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括： 衬底； 缓冲层，设置于所述衬底一侧； 有源层，设置于所述缓冲层远离所述衬底的一侧； 其中，所述半导体器件还包括金属层，所述金属层设置于所述有源层朝向所述缓冲层的一侧，所述金属层包括至少一个金属块，且所述金属块与所述有源层的至少部分直接接触；所述缓冲层在与所述有源层接触的区域设置有凹槽，所述金属块设置于所述凹槽内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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