索尼半导体解决方案公司马原久美子获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利成像装置和成像方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115244918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180018639.0，技术领域涉及：H04N25/40；该发明授权成像装置和成像方法是由马原久美子设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像装置和成像方法在说明书摘要公布了：所提供的是一种成像装置，它能实现高分辨率，同时在光接收过程中降低功率。该成像装置具有：多个像素布置成矩阵，以接收来自感兴趣区域的反射光，像素中的每一个具有光接收元件，该光接收元件根据基于所述反射光存储在第一电荷存储单元和第二电荷存储单元之一中的电荷输出电信号；以及控制单元，对于由多个像素组成的捕获帧中的至少一些像素组的每个像素区域，使用相互不同的切换频率对第一电荷存储单元和第二电荷存储单元执行切换控制。
本发明授权成像装置和成像方法在权利要求书中公布了：1.一种成像装置，包括： 多个像素，以矩阵方式布置并接收来自目标区域的反射光，所述多个像素中的每一个具有光接收元件，所述光接收元件基于根据所述反射光积累在第一电荷积累部和第二电荷积累部中的任意一个中的电荷来输出电信号；以及 控制部，通过对由通过所述多个像素形成的成像帧的至少一部分的像素组构成的每个像素区域切换频率来执行所述第一电荷积累部和所述第二电荷积累部的切换控制，所述切换频率彼此不同， 其中，基于所述成像帧的感兴趣区域的确定结果，所述控制部通过在所述感兴趣区域与除了所述感兴趣区域之外的区域之间切换彼此不同的频率来执行所述第一电荷积累部和所述第二电荷积累部的切换控制，所述确定结果是从外部装置提供的。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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